仪表技术与传感器
儀錶技術與傳感器
의표기술여전감기
INSTRUMENT TECHNIQUE AND SENSOR
2004年
11期
7-8,11
,共3页
全宇军%邱法斌%申宇爽%村山宣光
全宇軍%邱法斌%申宇爽%村山宣光
전우군%구법빈%신우상%촌산선광
氢传感器%Ni诱导%Pt催化%热电效应
氫傳感器%Ni誘導%Pt催化%熱電效應
경전감기%Ni유도%Pt최화%열전효응
在玻璃衬底上采用RF溅射法制备非晶SiGe薄膜的基础上,采用金属Ni诱导法对所制备的薄膜进行晶化烧结,并以Pt催化氢氧化放热反应和SiGe薄膜的热电势效应为原理制备出了小型热电势氢传感器.测试表明:以500℃烧结所得SiGe薄膜材料为敏感基体,在100℃工作温度下所制备的传感器对3%H2灵敏度为0.7 mV,检测的浓度范围大约为0.02%～5%,且输出电压随着烧结温度的升高而升高.
在玻璃襯底上採用RF濺射法製備非晶SiGe薄膜的基礎上,採用金屬Ni誘導法對所製備的薄膜進行晶化燒結,併以Pt催化氫氧化放熱反應和SiGe薄膜的熱電勢效應為原理製備齣瞭小型熱電勢氫傳感器.測試錶明:以500℃燒結所得SiGe薄膜材料為敏感基體,在100℃工作溫度下所製備的傳感器對3%H2靈敏度為0.7 mV,檢測的濃度範圍大約為0.02%～5%,且輸齣電壓隨著燒結溫度的升高而升高.
재파리츤저상채용RF천사법제비비정SiGe박막적기출상,채용금속Ni유도법대소제비적박막진행정화소결,병이Pt최화경양화방열반응화SiGe박막적열전세효응위원리제비출료소형열전세경전감기.측시표명:이500℃소결소득SiGe박막재료위민감기체,재100℃공작온도하소제비적전감기대3%H2령민도위0.7 mV,검측적농도범위대약위0.02%～5%,차수출전압수착소결온도적승고이승고.
