半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2005年
3期
177-179
,共3页
翁雪涛%易萍%唐遵烈%李华高%陈于伟%陈红兵
翁雪濤%易萍%唐遵烈%李華高%陳于偉%陳紅兵
옹설도%역평%당준렬%리화고%진우위%진홍병
CCD%高速%逐行扫描
CCD%高速%逐行掃描
CCD%고속%축행소묘
采用2 μm的设计规则,在硅工艺线上,成功设计和制作了128×128 PtSi高速逐行扫描CCD器件.介绍了器件的结构、制作工艺和参数测试结果.
採用2 μm的設計規則,在硅工藝線上,成功設計和製作瞭128×128 PtSi高速逐行掃描CCD器件.介紹瞭器件的結構、製作工藝和參數測試結果.
채용2 μm적설계규칙,재규공예선상,성공설계화제작료128×128 PtSi고속축행소묘CCD기건.개소료기건적결구、제작공예화삼수측시결과.
