固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2005年
3期
310-314
,共5页
互补金属氧化物半导体集成电路%模拟信号处理%高频模拟开关
互補金屬氧化物半導體集成電路%模擬信號處理%高頻模擬開關
호보금속양화물반도체집성전로%모의신호처리%고빈모의개관
介绍了一种可对高频信号进行取样、加权、控制、叠加的模拟信号处理开关集成电路,通过两个高宽长比的高跨导NMOS晶体管可实现权值的粗调和微调.该电路采用标准0.6 μm CMOS工艺制造.测试结果表明:该电路的工作频段为50～250 MHz时,导通时最小插入损耗约为-5.0～-10.5 dB,关断时隔离度可达-40.5～-23.4 dB左右;其连续可调的加权动态范围最大值为21.3 dB.
介紹瞭一種可對高頻信號進行取樣、加權、控製、疊加的模擬信號處理開關集成電路,通過兩箇高寬長比的高跨導NMOS晶體管可實現權值的粗調和微調.該電路採用標準0.6 μm CMOS工藝製造.測試結果錶明:該電路的工作頻段為50～250 MHz時,導通時最小插入損耗約為-5.0～-10.5 dB,關斷時隔離度可達-40.5～-23.4 dB左右;其連續可調的加權動態範圍最大值為21.3 dB.
개소료일충가대고빈신호진행취양、가권、공제、첩가적모의신호처리개관집성전로,통과량개고관장비적고과도NMOS정체관가실현권치적조조화미조.해전로채용표준0.6 μm CMOS공예제조.측시결과표명:해전로적공작빈단위50～250 MHz시,도통시최소삽입손모약위-5.0～-10.5 dB,관단시격리도가체-40.5～-23.4 dB좌우;기련속가조적가권동태범위최대치위21.3 dB.
