光学与光电技术
光學與光電技術
광학여광전기술
OPTICS & OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY
2006年
5期
55-58
,共4页
马任德%王政平%王峰%张国生%王成
馬任德%王政平%王峰%張國生%王成
마임덕%왕정평%왕봉%장국생%왕성
石英光纤%电子辐照%能量沉积
石英光纖%電子輻照%能量沉積
석영광섬%전자복조%능량침적
为了用尽可能低的辐照电子能量在光纤芯处形成大的性质改变,模拟了0.1～1 MeV能量的电子辐照二氧化硅.发现每一特定能量的电子辐照二氧化硅时,在其中有个能量沉积最快的位置.计算得到0.447 4 MeV能量的电子在单模光纤中心能量沉积最快,分析发现对于这个能量的电子多数可以穿透到光纤芯处,电子能量在光纤芯处的沉积主要是由于电子能量的减小造成的.这些结果可为用电子辐照光纤制作光器件时的初始电子能量选择提供参考.
為瞭用儘可能低的輻照電子能量在光纖芯處形成大的性質改變,模擬瞭0.1～1 MeV能量的電子輻照二氧化硅.髮現每一特定能量的電子輻照二氧化硅時,在其中有箇能量沉積最快的位置.計算得到0.447 4 MeV能量的電子在單模光纖中心能量沉積最快,分析髮現對于這箇能量的電子多數可以穿透到光纖芯處,電子能量在光纖芯處的沉積主要是由于電子能量的減小造成的.這些結果可為用電子輻照光纖製作光器件時的初始電子能量選擇提供參攷.
위료용진가능저적복조전자능량재광섬심처형성대적성질개변,모의료0.1～1 MeV능량적전자복조이양화규.발현매일특정능량적전자복조이양화규시,재기중유개능량침적최쾌적위치.계산득도0.447 4 MeV능량적전자재단모광섬중심능량침적최쾌,분석발현대우저개능량적전자다수가이천투도광섬심처,전자능량재광섬심처적침적주요시유우전자능량적감소조성적.저사결과가위용전자복조광섬제작광기건시적초시전자능량선택제공삼고.
