光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2007年
5期
562-565
,共4页
张剑铭%邹德恕%刘思南%朱彦旭%沈光地
張劍銘%鄒德恕%劉思南%硃彥旭%瀋光地
장검명%추덕서%류사남%주언욱%침광지
AlGaInP%氧化铟锡(ITO)%薄膜发光二极管(LED)%发光强度
AlGaInP%氧化銦錫(ITO)%薄膜髮光二極管(LED)%髮光彊度
AlGaInP%양화인석(ITO)%박막발광이겁관(LED)%발광강도
提出了一种透明导电氧化铟锡(ITO)欧姆接触的AlGaInP薄膜发光二极管(LED)的结构和制作工艺.在这个结构里,ITO还作为窗口层材料,增强电流扩展,并应用了高反射率的金属作为反光镜.用Au-Sn合金(Au∶Sn＝8∶2,重量比)作为焊料,把带有金属反光镜的AlGaInP LED(RS-LED)外延片倒装键合到GaAs基板上,并去掉外延GaAs衬底,把被GaAs衬底吸收的光反射出去.与常规AlGaInP吸收衬底LEDs(AS-LED)和带有分布布拉格反光镜(DBR)的AlGaInP吸收衬底LEDs(DBR-AS-LED)电、光特性的比较,用透明导电ITO做欧姆接触的AlGaInP薄膜RS-LED结构能极大提高光输出功率和发光强度.正向电流20 mA时,RS-LED的光输出功率分别是AS-LED和DBR-AS-LED的2.4倍和1.7倍;RS-LED 20 mA下峰值波长624 nm的轴向光强达到了179.6 mcd,分别是AS-LED 20 mA下峰值波长627 nm和DBR-AS-LED 20 mA下峰值波长623 nm轴向光强的2.2倍和1.3倍.
提齣瞭一種透明導電氧化銦錫(ITO)歐姆接觸的AlGaInP薄膜髮光二極管(LED)的結構和製作工藝.在這箇結構裏,ITO還作為窗口層材料,增彊電流擴展,併應用瞭高反射率的金屬作為反光鏡.用Au-Sn閤金(Au∶Sn＝8∶2,重量比)作為銲料,把帶有金屬反光鏡的AlGaInP LED(RS-LED)外延片倒裝鍵閤到GaAs基闆上,併去掉外延GaAs襯底,把被GaAs襯底吸收的光反射齣去.與常規AlGaInP吸收襯底LEDs(AS-LED)和帶有分佈佈拉格反光鏡(DBR)的AlGaInP吸收襯底LEDs(DBR-AS-LED)電、光特性的比較,用透明導電ITO做歐姆接觸的AlGaInP薄膜RS-LED結構能極大提高光輸齣功率和髮光彊度.正嚮電流20 mA時,RS-LED的光輸齣功率分彆是AS-LED和DBR-AS-LED的2.4倍和1.7倍;RS-LED 20 mA下峰值波長624 nm的軸嚮光彊達到瞭179.6 mcd,分彆是AS-LED 20 mA下峰值波長627 nm和DBR-AS-LED 20 mA下峰值波長623 nm軸嚮光彊的2.2倍和1.3倍.
제출료일충투명도전양화인석(ITO)구모접촉적AlGaInP박막발광이겁관(LED)적결구화제작공예.재저개결구리,ITO환작위창구층재료,증강전류확전,병응용료고반사솔적금속작위반광경.용Au-Sn합금(Au∶Sn＝8∶2,중량비)작위한료,파대유금속반광경적AlGaInP LED(RS-LED)외연편도장건합도GaAs기판상,병거도외연GaAs츤저,파피GaAs츤저흡수적광반사출거.여상규AlGaInP흡수츤저LEDs(AS-LED)화대유분포포랍격반광경(DBR)적AlGaInP흡수츤저LEDs(DBR-AS-LED)전、광특성적비교,용투명도전ITO주구모접촉적AlGaInP박막RS-LED결구능겁대제고광수출공솔화발광강도.정향전류20 mA시,RS-LED적광수출공솔분별시AS-LED화DBR-AS-LED적2.4배화1.7배;RS-LED 20 mA하봉치파장624 nm적축향광강체도료179.6 mcd,분별시AS-LED 20 mA하봉치파장627 nm화DBR-AS-LED 20 mA하봉치파장623 nm축향광강적2.2배화1.3배.
