半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2008年
2期
208-211,216
,共5页
赵刚%郝秋龙%陈建国%齐文宗
趙剛%郝鞦龍%陳建國%齊文宗
조강%학추룡%진건국%제문종
超短脉冲激光%电子密度%破坏阈值%激光物理%解析分析
超短脈遲激光%電子密度%破壞閾值%激光物理%解析分析
초단맥충격광%전자밀도%파배역치%격광물리%해석분석
在对速率方程求解的基础上,得到了超短脉冲激光辐照下介质表面电子密度演化的解析表达式;并导出了脉冲通量密度与破坏脉宽阈值的解析关系式;得到了介质损伤阈值与脉宽之间的关系;并考查了初始电子密度对损伤阈值的影响.
在對速率方程求解的基礎上,得到瞭超短脈遲激光輻照下介質錶麵電子密度縯化的解析錶達式;併導齣瞭脈遲通量密度與破壞脈寬閾值的解析關繫式;得到瞭介質損傷閾值與脈寬之間的關繫;併攷查瞭初始電子密度對損傷閾值的影響.
재대속솔방정구해적기출상,득도료초단맥충격광복조하개질표면전자밀도연화적해석표체식;병도출료맥충통량밀도여파배맥관역치적해석관계식;득도료개질손상역치여맥관지간적관계;병고사료초시전자밀도대손상역치적영향.
