海南师范大学学报(自然科学版)
海南師範大學學報(自然科學版)
해남사범대학학보(자연과학판)
JOURNAL OF HAINAN NORMAL UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
2008年
2期
148-152
,共5页
肖清泉%谢泉%杨吟野%张晋敏%赵凤娟%杨创华
肖清泉%謝泉%楊吟野%張晉敏%趙鳳娟%楊創華
초청천%사천%양음야%장진민%조봉연%양창화
环境半导体材料%Ca2Si%电子结构
環境半導體材料%Ca2Si%電子結構
배경반도체재료%Ca2Si%전자결구
运用Materials Studio软件对半导体材料Ca2Si的电子结构进行了计算,结果表明,Ca2Si材料为直接带隙类型材料,计算值比实验测量值小.Ca2Si的价带由Ca的4s、4p、3d态和Si的3p态构成;Ca2Si的导带主要是由钙的3d、4s、4p态构成,硅的3s、3p对导带的贡献相对要小得多.
運用Materials Studio軟件對半導體材料Ca2Si的電子結構進行瞭計算,結果錶明,Ca2Si材料為直接帶隙類型材料,計算值比實驗測量值小.Ca2Si的價帶由Ca的4s、4p、3d態和Si的3p態構成;Ca2Si的導帶主要是由鈣的3d、4s、4p態構成,硅的3s、3p對導帶的貢獻相對要小得多.
운용Materials Studio연건대반도체재료Ca2Si적전자결구진행료계산,결과표명,Ca2Si재료위직접대극류형재료,계산치비실험측량치소.Ca2Si적개대유Ca적4s、4p、3d태화Si적3p태구성;Ca2Si적도대주요시유개적3d、4s、4p태구성,규적3s、3p대도대적공헌상대요소득다.
