光谱学与光谱分析
光譜學與光譜分析
광보학여광보분석
SPECTROSCOPY AND SPECTRAL ANALYSIS
2009年
3期
752-755
,共4页
王成龙%范多旺%刘红忠%张福甲%邢达%刘颂豪
王成龍%範多旺%劉紅忠%張福甲%邢達%劉頌豪
왕성룡%범다왕%류홍충%장복갑%형체%류송호
a-Si薄膜%粗糙度%衬底温度%晶化%AIC
a-Si薄膜%粗糙度%襯底溫度%晶化%AIC
a-Si박막%조조도%츤저온도%정화%AIC
以表面平整、粗糙的玻璃为衬底,在不同衬底温度下直流磁控溅射沉积a-Si薄膜,制备成glflss/a-Si/Al样品,经退火处理制备了poly-Si薄膜.分别采用Raman光谱、XRD光谱等手段研究了衬底粗糙度以及衬底温度对铝诱导晶化(AIC)制备的poly-Si品质的影响.Raman光谱表明:所有样品在521 cm-1都有尖锐、对称的Raman峰出现,表明样品完全结晶;XRD结果表明:poly-Si在(111)晶向择优生长;XRD在(111)处的半高宽值(FWHM)表明:玻璃衬底的形貌和a-Si沉积的温度对poly-si的品质产生影响.200℃可能是AIC制备poly-Si薄膜时沉积a-Si时的最适温度.
以錶麵平整、粗糙的玻璃為襯底,在不同襯底溫度下直流磁控濺射沉積a-Si薄膜,製備成glflss/a-Si/Al樣品,經退火處理製備瞭poly-Si薄膜.分彆採用Raman光譜、XRD光譜等手段研究瞭襯底粗糙度以及襯底溫度對鋁誘導晶化(AIC)製備的poly-Si品質的影響.Raman光譜錶明:所有樣品在521 cm-1都有尖銳、對稱的Raman峰齣現,錶明樣品完全結晶;XRD結果錶明:poly-Si在(111)晶嚮擇優生長;XRD在(111)處的半高寬值(FWHM)錶明:玻璃襯底的形貌和a-Si沉積的溫度對poly-si的品質產生影響.200℃可能是AIC製備poly-Si薄膜時沉積a-Si時的最適溫度.
이표면평정、조조적파리위츤저,재불동츤저온도하직류자공천사침적a-Si박막,제비성glflss/a-Si/Al양품,경퇴화처리제비료poly-Si박막.분별채용Raman광보、XRD광보등수단연구료츤저조조도이급츤저온도대려유도정화(AIC)제비적poly-Si품질적영향.Raman광보표명:소유양품재521 cm-1도유첨예、대칭적Raman봉출현,표명양품완전결정;XRD결과표명:poly-Si재(111)정향택우생장;XRD재(111)처적반고관치(FWHM)표명:파리츤저적형모화a-Si침적적온도대poly-si적품질산생영향.200℃가능시AIC제비poly-Si박막시침적a-Si시적최괄온도.
