微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2009年
1期
124-127,140
,共5页
王巍%王玉青%申君君%唐政维%秘俊杰
王巍%王玉青%申君君%唐政維%祕俊傑
왕외%왕옥청%신군군%당정유%비준걸
碳化硅%埋沟MOSFET%C-V特性%界面态
碳化硅%埋溝MOSFET%C-V特性%界麵態
탄화규%매구MOSFET%C-V특성%계면태
研究了6H-SiC埋沟MOSFET器件的电容-电压特性,建立了解析模型.具体分析了埋沟MOSFET各种工作模式下的电容与栅电压之间的关系,考虑了SiO2/SiC界面态及pn结对电容-电压特性的影响.对模型进行了仿真分析验证,结果表明:在假设界面态密度分布均匀条件下,由于对界面态做了简化处理,因而在耗尽模式及夹断模式下的C-V特性计算结果与实验结果有所差异.
研究瞭6H-SiC埋溝MOSFET器件的電容-電壓特性,建立瞭解析模型.具體分析瞭埋溝MOSFET各種工作模式下的電容與柵電壓之間的關繫,攷慮瞭SiO2/SiC界麵態及pn結對電容-電壓特性的影響.對模型進行瞭倣真分析驗證,結果錶明:在假設界麵態密度分佈均勻條件下,由于對界麵態做瞭簡化處理,因而在耗儘模式及夾斷模式下的C-V特性計算結果與實驗結果有所差異.
연구료6H-SiC매구MOSFET기건적전용-전압특성,건립료해석모형.구체분석료매구MOSFET각충공작모식하적전용여책전압지간적관계,고필료SiO2/SiC계면태급pn결대전용-전압특성적영향.대모형진행료방진분석험증,결과표명:재가설계면태밀도분포균균조건하,유우대계면태주료간화처리,인이재모진모식급협단모식하적C-V특성계산결과여실험결과유소차이.
