低介电氧氮化硅陶瓷的研制
저개전양담화규도자적연제
Preparation of Low-Dielectric Si2N2O Ceramic
  • 万方数据
    现代技术陶瓷 현대기술도자
    ADVANCED CERAMICS
    2009年 1期 8-11 ,共4页

    廖荣%马桂红%于志永%王重海%刘建%韦中华%袁维军

    료영%마계홍%우지영%왕중해%류건%위중화%원유군

    氮化硅%氧氮化硅%介电常数%介电损耗 氮化硅%氧氮化硅%介電常數%介電損耗
    담화규%양담화규%개전상수%개전손모
    以氮化硅为主体,外加二氧化硅,研制低密度、高强、低介电的氧氮化硅陶瓷材料.通过分析材料烧结体的XRD物相图、材料的各项性能、材料的显微结构,得出二氧化硅含量对材料性能的影响规律,从而确定了材料最佳配方.
    이담화규위주체,외가이양화규,연제저밀도、고강、저개전적양담화규도자재료.통과분석재료소결체적XRD물상도、재료적각항성능、재료적현미결구,득출이양화규함량대재료성능적영향규률,종이학정료재료최가배방.
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