半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
11期
1989-1993
,共5页
热路模型%公式%降温%热缓慢击穿
熱路模型%公式%降溫%熱緩慢擊穿
열로모형%공식%강온%열완만격천
利用热等效电路对外加连续脉冲产生的热效应中晶格温度的上升及下降作了研究并与实验进行了比较.结果表明,若高频脉冲的延迟时间大于降温驰豫时间,则器件处于热安全工作区.对热阻为3.5K/W,热容为5μs·W/K的LDMOS,如脉冲频率小于7.14kHz且占空比为0.5,或脉冲频率为10kHz且占空比小于0.3,则该器件工作在热安全区.文中还给出了功率器件热安全工作区的判据.
利用熱等效電路對外加連續脈遲產生的熱效應中晶格溫度的上升及下降作瞭研究併與實驗進行瞭比較.結果錶明,若高頻脈遲的延遲時間大于降溫馳豫時間,則器件處于熱安全工作區.對熱阻為3.5K/W,熱容為5μs·W/K的LDMOS,如脈遲頻率小于7.14kHz且佔空比為0.5,或脈遲頻率為10kHz且佔空比小于0.3,則該器件工作在熱安全區.文中還給齣瞭功率器件熱安全工作區的判據.
이용열등효전로대외가련속맥충산생적열효응중정격온도적상승급하강작료연구병여실험진행료비교.결과표명,약고빈맥충적연지시간대우강온치예시간,칙기건처우열안전공작구.대열조위3.5K/W,열용위5μs·W/K적LDMOS,여맥충빈솔소우7.14kHz차점공비위0.5,혹맥충빈솔위10kHz차점공비소우0.3,칙해기건공작재열안전구.문중환급출료공솔기건열안전공작구적판거.
