以SiCl4/H2为气源低温制备pc-Si薄膜的稳恒光电导特性
이SiCl4/H2위기원저온제비pc-Si박막적은항광전도특성
Persistent photoconductivity characteristic of pc-Si films deposited at low-temperature from SiCl4/H2 mixture
  • 万方数据
    功能材料 공능재료
    JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
    2007年 5期 711-713 ,共3页

    余楚迎%林璇英%黄锐

    여초영%림선영%황예

    多晶硅薄膜%稳恒光电导效应%晶化率%晶粒尺寸 多晶硅薄膜%穩恆光電導效應%晶化率%晶粒呎吋
    다정규박막%은항광전도효응%정화솔%정립척촌
    研究了以SiCl4/H2为气源、用等离子体增强化学气相沉积方法, 在低于300℃温度下所制备的pc-Si薄膜在长时间的光照下电导率的变化情况.实验结果表明,所制备的多晶硅薄膜具有类稳恒光电导效应,而且薄膜的稳恒光电导特性依赖于薄膜的晶化率和晶粒尺寸,随晶化率的增加和晶粒尺寸的增大而增大.
    연구료이SiCl4/H2위기원、용등리자체증강화학기상침적방법, 재저우300℃온도하소제비적pc-Si박막재장시간적광조하전도솔적변화정황.실험결과표명,소제비적다정규박막구유류은항광전도효응,이차박막적은항광전도특성의뢰우박막적정화솔화정립척촌,수정화솔적증가화정립척촌적증대이증대.
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