电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2008年
5期
42-44
,共3页
电子技术%氧化锌压敏陶瓷%K+掺杂%电性能%晶界
電子技術%氧化鋅壓敏陶瓷%K+摻雜%電性能%晶界
전자기술%양화자압민도자%K+참잡%전성능%정계
采用传统的陶瓷工艺,制备了ZnO压敏陶瓷.研究了K+掺杂量对ZnO压敏陶瓷电性能的影响.结果表明:当x(K+)小于40×10-6时,对其电性能几乎没有影响;但若x(K+)超过60×10-6后,由于K+在晶界和三角区的大量偏析,破坏了晶界层的稳定,导致其浪涌电流耐受能力严重劣化.
採用傳統的陶瓷工藝,製備瞭ZnO壓敏陶瓷.研究瞭K+摻雜量對ZnO壓敏陶瓷電性能的影響.結果錶明:噹x(K+)小于40×10-6時,對其電性能幾乎沒有影響;但若x(K+)超過60×10-6後,由于K+在晶界和三角區的大量偏析,破壞瞭晶界層的穩定,導緻其浪湧電流耐受能力嚴重劣化.
채용전통적도자공예,제비료ZnO압민도자.연구료K+참잡량대ZnO압민도자전성능적영향.결과표명:당x(K+)소우40×10-6시,대기전성능궤호몰유영향;단약x(K+)초과60×10-6후,유우K+재정계화삼각구적대량편석,파배료정계층적은정,도치기랑용전류내수능력엄중열화.
