半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
4期
389-392
,共4页
王志军%张春%贾晨%麦宋平%李冬梅
王誌軍%張春%賈晨%麥宋平%李鼕梅
왕지군%장춘%가신%맥송평%리동매
人工耳蜗%ASIC数模混合电路%芯片
人工耳蝸%ASIC數模混閤電路%芯片
인공이와%ASIC수모혼합전로%심편
设计了一个人工耳蜗专用植入刺激芯片.芯片为17个刺激电极提供精确的电流脉冲刺激,同时具有一定的数据检错能力,可以满足各种不同的语音编码算法的需要.芯片为一数模混合电路,采用0.35 μm嵌入式EEPROM工艺设计制造,使用双工作电压,高压电源12 V,常压电源3.3 V,芯片总面积9 mm2,最大功耗小于10 mW.详细介绍了该芯片的结构和基准源、数字控制模块、压控电流源等关键模块的具体实现方式,部分模块以及芯片整体的最终测试结果.
設計瞭一箇人工耳蝸專用植入刺激芯片.芯片為17箇刺激電極提供精確的電流脈遲刺激,同時具有一定的數據檢錯能力,可以滿足各種不同的語音編碼算法的需要.芯片為一數模混閤電路,採用0.35 μm嵌入式EEPROM工藝設計製造,使用雙工作電壓,高壓電源12 V,常壓電源3.3 V,芯片總麵積9 mm2,最大功耗小于10 mW.詳細介紹瞭該芯片的結構和基準源、數字控製模塊、壓控電流源等關鍵模塊的具體實現方式,部分模塊以及芯片整體的最終測試結果.
설계료일개인공이와전용식입자격심편.심편위17개자격전겁제공정학적전류맥충자격,동시구유일정적수거검착능력,가이만족각충불동적어음편마산법적수요.심편위일수모혼합전로,채용0.35 μm감입식EEPROM공예설계제조,사용쌍공작전압,고압전원12 V,상압전원3.3 V,심편총면적9 mm2,최대공모소우10 mW.상세개소료해심편적결구화기준원、수자공제모괴、압공전류원등관건모괴적구체실현방식,부분모괴이급심편정체적최종측시결과.
