微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2010年
12期
781-786
,共6页
倪祖高%马文英%姚军%陈科帆
倪祖高%馬文英%姚軍%陳科帆
예조고%마문영%요군%진과범
有限阵列%局部表面等离子体共振%折射率灵敏度%半高全宽%品质因素%传感灵敏度
有限陣列%跼部錶麵等離子體共振%摺射率靈敏度%半高全寬%品質因素%傳感靈敏度
유한진렬%국부표면등리자체공진%절사솔령민도%반고전관%품질인소%전감령민도
采用时域有限差分法(FDTD)对Ag纳米柱粒子构成的三角、方形和六角三种有限阵列排布方式下的局部表面等离子体共振(LSPR)传感特性进行了研究,讨论了三种阵列排布方式下栅格间距的变化对其消光特性、折射率灵敏度(RIS)和品质因素(FOM)的影响.栅格间距的变化使粒子间的电磁耦合发生了变化,进而改变了消光谱线,相应的折射率灵敏度和谱线的半高全宽也都发生变化.仿真结果表明,三角、方形和六角阵列的栅格间距分别为550,475和550 nm时,品质因数分别取得极大值10.35,8.92和7.38 RIU-1,较单个银粒子的2.76 RIU-1分别提高了3.75,3.2和2.67倍.最优时,阵列结构的RIS均比单个的要高,分别为单个的1.2,1.16和1.18倍,且半高全宽(FWHM)均比单个的要窄,分别为单个的0.32,0.36和0.44倍.因此,阵列结构能够获得比单个结构更佳的传感灵敏度,且三角阵列结构比方形阵列和六角阵列的传感灵敏度要高.因此,三角阵列结构更能提高传感灵敏度,这对于纳米粒子的传感特性研究具有一定的指导意义.
採用時域有限差分法(FDTD)對Ag納米柱粒子構成的三角、方形和六角三種有限陣列排佈方式下的跼部錶麵等離子體共振(LSPR)傳感特性進行瞭研究,討論瞭三種陣列排佈方式下柵格間距的變化對其消光特性、摺射率靈敏度(RIS)和品質因素(FOM)的影響.柵格間距的變化使粒子間的電磁耦閤髮生瞭變化,進而改變瞭消光譜線,相應的摺射率靈敏度和譜線的半高全寬也都髮生變化.倣真結果錶明,三角、方形和六角陣列的柵格間距分彆為550,475和550 nm時,品質因數分彆取得極大值10.35,8.92和7.38 RIU-1,較單箇銀粒子的2.76 RIU-1分彆提高瞭3.75,3.2和2.67倍.最優時,陣列結構的RIS均比單箇的要高,分彆為單箇的1.2,1.16和1.18倍,且半高全寬(FWHM)均比單箇的要窄,分彆為單箇的0.32,0.36和0.44倍.因此,陣列結構能夠穫得比單箇結構更佳的傳感靈敏度,且三角陣列結構比方形陣列和六角陣列的傳感靈敏度要高.因此,三角陣列結構更能提高傳感靈敏度,這對于納米粒子的傳感特性研究具有一定的指導意義.
채용시역유한차분법(FDTD)대Ag납미주입자구성적삼각、방형화륙각삼충유한진렬배포방식하적국부표면등리자체공진(LSPR)전감특성진행료연구,토론료삼충진렬배포방식하책격간거적변화대기소광특성、절사솔령민도(RIS)화품질인소(FOM)적영향.책격간거적변화사입자간적전자우합발생료변화,진이개변료소광보선,상응적절사솔령민도화보선적반고전관야도발생변화.방진결과표명,삼각、방형화륙각진렬적책격간거분별위550,475화550 nm시,품질인수분별취득겁대치10.35,8.92화7.38 RIU-1,교단개은입자적2.76 RIU-1분별제고료3.75,3.2화2.67배.최우시,진렬결구적RIS균비단개적요고,분별위단개적1.2,1.16화1.18배,차반고전관(FWHM)균비단개적요착,분별위단개적0.32,0.36화0.44배.인차,진렬결구능구획득비단개결구경가적전감령민도,차삼각진렬결구비방형진렬화륙각진렬적전감령민도요고.인차,삼각진렬결구경능제고전감령민도,저대우납미입자적전감특성연구구유일정적지도의의.