电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2002年
3期
20-23
,共4页
晶型%钛酸锶晶界层陶瓷%介电性能%显微结构
晶型%鈦痠鍶晶界層陶瓷%介電性能%顯微結構
정형%태산송정계층도자%개전성능%현미결구
在一定范围内变动锶钛摩尔比r(Sr/Ti)仍然可以得到性能良好的SrTiO3晶界层电容器,但施主添加物Nb2O5、La2O3及烧结剂SiO2的加入量应作相应变动.当r(Sr/Ti)=1时,Nb2O5与La2O3以等摩尔比加入为佳;当TiO2过量时Nb2O5宜减少;而当SrO过量时则La2O3应减少,并适当增加SiO2.r(Sr/Ti)在0.994～0.998时粉料有比较合适的松装密度,烧成试样有较低的电阻率(0.2～0.3 Ω@cm),晶粒尺寸为40～50 μm且比较均匀,氧化处理后瓷片有较理想的综合介电性能:μr = 55 000~68 000,tgδ <1×10-2,δ50v >5×1010 Ω@cm,VB(DC)≈600 V/mm,|ΔC@C-1| (-25～+125℃)<10%.相对于金红石相(R),锐钛矿型(A)TiO2与SrCO3的反应活化能更低,可以不经过SrCO3分解过程而在较低温度下直接合成SrTiO3.固相反应机理的差别导致瓷体微观结构差异,在调整r(Sr/Ti)的同时调整TiO2原材料中的金红石相(R)与锐钛矿相(A)之比可得到更理想的晶界层电容器瓷体.
在一定範圍內變動鍶鈦摩爾比r(Sr/Ti)仍然可以得到性能良好的SrTiO3晶界層電容器,但施主添加物Nb2O5、La2O3及燒結劑SiO2的加入量應作相應變動.噹r(Sr/Ti)=1時,Nb2O5與La2O3以等摩爾比加入為佳;噹TiO2過量時Nb2O5宜減少;而噹SrO過量時則La2O3應減少,併適噹增加SiO2.r(Sr/Ti)在0.994～0.998時粉料有比較閤適的鬆裝密度,燒成試樣有較低的電阻率(0.2～0.3 Ω@cm),晶粒呎吋為40～50 μm且比較均勻,氧化處理後瓷片有較理想的綜閤介電性能:μr = 55 000~68 000,tgδ <1×10-2,δ50v >5×1010 Ω@cm,VB(DC)≈600 V/mm,|ΔC@C-1| (-25～+125℃)<10%.相對于金紅石相(R),銳鈦礦型(A)TiO2與SrCO3的反應活化能更低,可以不經過SrCO3分解過程而在較低溫度下直接閤成SrTiO3.固相反應機理的差彆導緻瓷體微觀結構差異,在調整r(Sr/Ti)的同時調整TiO2原材料中的金紅石相(R)與銳鈦礦相(A)之比可得到更理想的晶界層電容器瓷體.
재일정범위내변동송태마이비r(Sr/Ti)잉연가이득도성능량호적SrTiO3정계층전용기,단시주첨가물Nb2O5、La2O3급소결제SiO2적가입량응작상응변동.당r(Sr/Ti)=1시,Nb2O5여La2O3이등마이비가입위가;당TiO2과량시Nb2O5의감소;이당SrO과량시칙La2O3응감소,병괄당증가SiO2.r(Sr/Ti)재0.994～0.998시분료유비교합괄적송장밀도,소성시양유교저적전조솔(0.2～0.3 Ω@cm),정립척촌위40～50 μm차비교균균,양화처리후자편유교이상적종합개전성능:μr = 55 000~68 000,tgδ <1×10-2,δ50v >5×1010 Ω@cm,VB(DC)≈600 V/mm,|ΔC@C-1| (-25～+125℃)<10%.상대우금홍석상(R),예태광형(A)TiO2여SrCO3적반응활화능경저,가이불경과SrCO3분해과정이재교저온도하직접합성SrTiO3.고상반응궤리적차별도치자체미관결구차이,재조정r(Sr/Ti)적동시조정TiO2원재료중적금홍석상(R)여예태광상(A)지비가득도경이상적정계층전용기자체.
