人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2011年
4期
843-847
,共5页
任世荣%陈新亮%张存善%孙建%张晓丹%耿新华%赵颖
任世榮%陳新亮%張存善%孫建%張曉丹%耿新華%趙穎
임세영%진신량%장존선%손건%장효단%경신화%조영
电子束沉积技术%SiO2阻挡层%IWO薄膜%高迁移率
電子束沉積技術%SiO2阻擋層%IWO薄膜%高遷移率
전자속침적기술%SiO2조당층%IWO박막%고천이솔
利用电子束沉积技术在玻璃衬底上制备了IWO( In2O3∶WO3)薄膜和SiO2缓冲层,并将SiO2缓冲层对IWO薄膜性能的影响作了探究.SiO2缓冲层在室温生长.SIMS测试表明:SiO2缓冲层能有效阻挡浮法玻璃中的杂质进入到IWO薄膜.实验获得的具有SiO2阻挡层的IWO薄膜的电子迁移率μ～54.5 cm2·V-1·s-1,电阻率p ～5.86×10-4Ω,cm,电子载流子浓度n～ 1.95×1020 cm-3,400～1600nm砌光谱区域内的平均透过率～76％.
利用電子束沉積技術在玻璃襯底上製備瞭IWO( In2O3∶WO3)薄膜和SiO2緩遲層,併將SiO2緩遲層對IWO薄膜性能的影響作瞭探究.SiO2緩遲層在室溫生長.SIMS測試錶明:SiO2緩遲層能有效阻擋浮法玻璃中的雜質進入到IWO薄膜.實驗穫得的具有SiO2阻擋層的IWO薄膜的電子遷移率μ～54.5 cm2·V-1·s-1,電阻率p ～5.86×10-4Ω,cm,電子載流子濃度n～ 1.95×1020 cm-3,400～1600nm砌光譜區域內的平均透過率～76％.
이용전자속침적기술재파리츤저상제비료IWO( In2O3∶WO3)박막화SiO2완충층,병장SiO2완충층대IWO박막성능적영향작료탐구.SiO2완충층재실온생장.SIMS측시표명:SiO2완충층능유효조당부법파리중적잡질진입도IWO박막.실험획득적구유SiO2조당층적IWO박막적전자천이솔μ～54.5 cm2·V-1·s-1,전조솔p ～5.86×10-4Ω,cm,전자재류자농도n～ 1.95×1020 cm-3,400～1600nm체광보구역내적평균투과솔～76％.
