电子显微学报
電子顯微學報
전자현미학보
JOURNAL OF CHINESE ELECTRON MICROSCOPY SOCIETY
2003年
3期
214-218
,共5页
许海霞%李钱光%杨毅%闵永泉%李志扬%刘武
許海霞%李錢光%楊毅%閔永泉%李誌颺%劉武
허해하%리전광%양의%민영천%리지양%류무
单电子存储器%Monte Carlo模拟
單電子存儲器%Monte Carlo模擬
단전자존저기%Monte Carlo모의
本文采用Monte Carlo方法模拟了多隧道结单电子动态存储器的存储特性,考察了隧道结的个数、隧道结电容、隧道结电阻、脉冲电压幅度等参数对存储器的存储时间和饱和充电电荷的影响,并与宏观RC电路进行了比较.
本文採用Monte Carlo方法模擬瞭多隧道結單電子動態存儲器的存儲特性,攷察瞭隧道結的箇數、隧道結電容、隧道結電阻、脈遲電壓幅度等參數對存儲器的存儲時間和飽和充電電荷的影響,併與宏觀RC電路進行瞭比較.
본문채용Monte Carlo방법모의료다수도결단전자동태존저기적존저특성,고찰료수도결적개수、수도결전용、수도결전조、맥충전압폭도등삼수대존저기적존저시간화포화충전전하적영향,병여굉관RC전로진행료비교.
