内蒙古民族大学学报(自然科学版)
內矇古民族大學學報(自然科學版)
내몽고민족대학학보(자연과학판)
JOURNAL OF INNER MONGOLIA UNIVERSITY FOR NATIONALITIES(NATURAL SCIENCES)
2004年
1期
27-31
,共5页
量子点%强磁场%基态能量
量子點%彊磁場%基態能量
양자점%강자장%기태능량
采用Larsen方法研究了半导体量子点中磁极化子的基态能量,对GaAs半导体材料进行了数值计算.结果表明,量子点中磁极化子的基态能量随磁场的增加而增加,随量子点的厚度增大而减小.
採用Larsen方法研究瞭半導體量子點中磁極化子的基態能量,對GaAs半導體材料進行瞭數值計算.結果錶明,量子點中磁極化子的基態能量隨磁場的增加而增加,隨量子點的厚度增大而減小.
채용Larsen방법연구료반도체양자점중자겁화자적기태능량,대GaAs반도체재료진행료수치계산.결과표명,양자점중자겁화자적기태능량수자장적증가이증가,수양자점적후도증대이감소.
