物理
物理
물리
2006年
4期
322-329
,共8页
超低介电常数材料%多孔SiCOH薄膜
超低介電常數材料%多孔SiCOH薄膜
초저개전상수재료%다공SiCOH박막
65 nm以下线宽的纳电子器件,要求采用介电常数k小于2的超低介电常数材料作为层间和线间绝缘介质,等离子体增强的化学气相沉积技术制备的硅基纳米多孔薄膜,提供了实现k＜2的可能性,多孔SiCOH薄膜成为最具希望的候选材料,但是,纳米孔的引入带来了材料其他性能恶化、集成工艺困难、薄膜微结构分析等许多新问题.文章介绍了多孔SiCOH(超)低k薄膜研究的主要进展及面临的挑战.
65 nm以下線寬的納電子器件,要求採用介電常數k小于2的超低介電常數材料作為層間和線間絕緣介質,等離子體增彊的化學氣相沉積技術製備的硅基納米多孔薄膜,提供瞭實現k＜2的可能性,多孔SiCOH薄膜成為最具希望的候選材料,但是,納米孔的引入帶來瞭材料其他性能噁化、集成工藝睏難、薄膜微結構分析等許多新問題.文章介紹瞭多孔SiCOH(超)低k薄膜研究的主要進展及麵臨的挑戰.
65 nm이하선관적납전자기건,요구채용개전상수k소우2적초저개전상수재료작위층간화선간절연개질,등리자체증강적화학기상침적기술제비적규기납미다공박막,제공료실현k＜2적가능성,다공SiCOH박막성위최구희망적후선재료,단시,납미공적인입대래료재료기타성능악화、집성공예곤난、박막미결구분석등허다신문제.문장개소료다공SiCOH(초)저k박막연구적주요진전급면림적도전.
