HgCdTe光伏器件多层钝化膜等离子体处理的研究
HgCdTe광복기건다층둔화막등리자체처리적연구
Study of plasma treatment on multi-layer film for HgCdTe photovoltaic detector
  • 万方数据
    光学仪器 광학의기
    OPTICAL INSTRUMENTS
    2006年 4期 56-59 ,共4页

    储开慧%乔辉%汤英文%陈江峰%胡亚春%贾嘉%李向阳%龚海梅

    저개혜%교휘%탕영문%진강봉%호아춘%가가%리향양%공해매

    O+2清洗%Ar+刻蚀%钝化%HgCdTe光伏探测器 O+2清洗%Ar+刻蝕%鈍化%HgCdTe光伏探測器
    O+2청세%Ar+각식%둔화%HgCdTe광복탐측기
    在HgCdTe光伏探测器件SiO2+ZnS复合介质膜钝化中,引入O+2清洗和Ar+刻蚀两种等离子体处理工艺,大大提高薄膜附着力,成功制备出优良的光伏器件.对处理前后的样品进行场发射扫描电子显微镜扫描、原子力显微镜扫描和二次离子质谱测试后发现,O+2清洗对去除样品表面的残余光刻胶效果显著;而Ar+刻蚀使ZnS表面更为粗糙,增加了成核中心,使SiO2和ZnS表面互相渗透,增强了两层介质膜的附着力.
    재HgCdTe광복탐측기건SiO2+ZnS복합개질막둔화중,인입O+2청세화Ar+각식량충등리자체처리공예,대대제고박막부착력,성공제비출우량적광복기건.대처리전후적양품진행장발사소묘전자현미경소묘、원자력현미경소묘화이차리자질보측시후발현,O+2청세대거제양품표면적잔여광각효효과현저;이Ar+각식사ZnS표면경위조조,증가료성핵중심,사SiO2화ZnS표면호상삼투,증강료량층개질막적부착력.
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