电源技术
電源技術
전원기술
CHINESE JOURNAL OF POWER SOURCES
2006年
9期
728-730
,共3页
聚合物电解质%复合物%SiO2%电导率
聚閤物電解質%複閤物%SiO2%電導率
취합물전해질%복합물%SiO2%전도솔
为了制备导电性能良好的聚合物电解质,采用原位复合的方法制得P(AALi-AN-BA)/SiO2有机-无机复合物,其与低温共熔盐(LiX)共混制备出新型高盐含量的P(AALi-AN-BA)/SiO2/LiX复合型聚合物电解质.使用差热(DTA)及交流阻抗谱(IA)技术对聚合物电解质的热性能及导电性能进行了研究,结果表明:随着SiO2含量的增大,聚合物电解质P(AALi-AN-BA)/SiO2/LiX的玻璃化转变温度(tg)增大;SiO2的添加降低了离子迁移的表观活化能(Ea),使电导率升高,当SiO2含量为10%(质量百分数)时电解质的室温电导率可达最高,此时Ea值为40.6 kJ/mol.
為瞭製備導電性能良好的聚閤物電解質,採用原位複閤的方法製得P(AALi-AN-BA)/SiO2有機-無機複閤物,其與低溫共鎔鹽(LiX)共混製備齣新型高鹽含量的P(AALi-AN-BA)/SiO2/LiX複閤型聚閤物電解質.使用差熱(DTA)及交流阻抗譜(IA)技術對聚閤物電解質的熱性能及導電性能進行瞭研究,結果錶明:隨著SiO2含量的增大,聚閤物電解質P(AALi-AN-BA)/SiO2/LiX的玻璃化轉變溫度(tg)增大;SiO2的添加降低瞭離子遷移的錶觀活化能(Ea),使電導率升高,噹SiO2含量為10%(質量百分數)時電解質的室溫電導率可達最高,此時Ea值為40.6 kJ/mol.
위료제비도전성능량호적취합물전해질,채용원위복합적방법제득P(AALi-AN-BA)/SiO2유궤-무궤복합물,기여저온공용염(LiX)공혼제비출신형고염함량적P(AALi-AN-BA)/SiO2/LiX복합형취합물전해질.사용차열(DTA)급교류조항보(IA)기술대취합물전해질적열성능급도전성능진행료연구,결과표명:수착SiO2함량적증대,취합물전해질P(AALi-AN-BA)/SiO2/LiX적파리화전변온도(tg)증대;SiO2적첨가강저료리자천이적표관활화능(Ea),사전도솔승고,당SiO2함량위10%(질량백분수)시전해질적실온전도솔가체최고,차시Ea치위40.6 kJ/mol.
