CAJ | 학술논문

在溅射法预制备的LaNiO3/Si基片上,用射频溅射法在较低的衬底温度(235～310℃)和纯Ar气氛中原位生长Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜.通过优化溅射功率、基片温度等工艺,最后在260℃的较低基片温度上成功制备出具有良好铁电性的PZT薄膜.使用X射线衍射(XRD)测试样品的结构,原子力显微镜观察其表面形貌,TD-88A标准铁电测试系统测试样品(Ar/PZT/LNO结构)的铁电性能.结果表明:(1)溅射功率110W,基片温度260℃时,原位沉积的PZT呈(111)、(200)取向;(2)上述工艺制备的PZT薄膜展现良好的铁电性,在5V测试电压时,其剩余极化为23.1uc/cm2,漏电流密度为1.34×10-4A/cm2.
재천사법예제비적LaNiO3/Si기편상,용사빈천사법재교저적츤저온도(235～310℃)화순Ar기분중원위생장Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)박막.통과우화천사공솔、기편온도등공예,최후재260℃적교저기편온도상성공제비출구유량호철전성적PZT박막.사용X사선연사(XRD)측시양품적결구,원자력현미경관찰기표면형모,TD-88A표준철전측시계통측시양품(Ar/PZT/LNO결구)적철전성능.결과표명:(1)천사공솔110W,기편온도260℃시,원위침적적PZT정(111)、(200)취향;(2)상술공예제비적PZT박막전현량호적철전성,재5V측시전압시,기잉여겁화위23.1uc/cm2,루전류밀도위1.34×10-4A/cm2.