界面热应力对InP/Si键合质量的影响
계면열응력대InP/Si건합질량적영향
Effect of Interfacial Thermal Stresses on the Quality of InP/Si Wafer Bonding
  • 万方数据
    固体电子学研究与进展 고체전자학연구여진전
    RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
    2008年 2期 172-175 ,共4页

    刘志强%王良臣%于丽娟%郭金霞%伊晓燕%王立彬%陈宇%马龙

    류지강%왕량신%우려연%곽금하%이효연%왕립빈%진우%마룡

    磷化铟/硅%键合%界面热应力%退火温度 燐化銦/硅%鍵閤%界麵熱應力%退火溫度
    린화인/규%건합%계면열응력%퇴화온도
    通过实验和理论计算,分析了InP/Si键合过程中,界面热应力的分布情况、影响键合结果的关键应力因素及退火温度的允许范围.分析结果表明,由剪切应力和晶片弯矩决定的界面正应力是晶片中心区域大面积键合失败的主要原因,为保证良好的键合质量,InP/Si键合退火温度应该在300～350℃范围内选取.具体实验验证表明,该理论计算值与实验结果相一致.最后,在300℃退火条件下,很好地实现了2in InP/Si晶片键合,红外图像显示,界面几乎没有空洞和裂隙存在,有效键合面积超过90%.
    통과실험화이론계산,분석료InP/Si건합과정중,계면열응력적분포정황、영향건합결과적관건응력인소급퇴화온도적윤허범위.분석결과표명,유전절응력화정편만구결정적계면정응력시정편중심구역대면적건합실패적주요원인,위보증량호적건합질량,InP/Si건합퇴화온도응해재300～350℃범위내선취.구체실험험증표명,해이론계산치여실험결과상일치.최후,재300℃퇴화조건하,흔호지실현료2in InP/Si정편건합,홍외도상현시,계면궤호몰유공동화렬극존재,유효건합면적초과90%.
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