微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2010年
11期
674-679
,共6页
钱群%张丛春%杨春生%丁桂甫%侯捷
錢群%張叢春%楊春生%丁桂甫%侯捷
전군%장총춘%양춘생%정계보%후첩
太阳电池%射频磁控溅射%铜铟镓硒(CIGS)%晶化%电阻率
太暘電池%射頻磁控濺射%銅銦鎵硒(CIGS)%晶化%電阻率
태양전지%사빈자공천사%동인가서(CIGS)%정화%전조솔
采用射频磁控溅射的工艺,在玻璃衬底上制备得到了铜铟镓硒(CIGS)薄膜.讨论了衬底温度、溅射气压、退火与否对CIGS薄膜与衬底结合力、显微形貌、晶化程度及电阻率的影响.通过能谱(EDS)测试证明了溅射的CIGS薄膜Ga组分比符合高效吸收层的要求,通过X射线衍射(XRD)与扫描电子显微镜(SEM)测试,证明了衬底加热溅射、溅射后450 ℃空气退火可以有效提高CIGS薄膜与衬底的结合并提高晶化程度.通过四探针法电阻率测试证明了低气压条件下溅射、溅射后退火可以有效降低CIGS的电阻率,通过透射光谱分析证明了CIGS薄膜对可见光有高吸收效率,适合作为太阳电池的高效吸收层.
採用射頻磁控濺射的工藝,在玻璃襯底上製備得到瞭銅銦鎵硒(CIGS)薄膜.討論瞭襯底溫度、濺射氣壓、退火與否對CIGS薄膜與襯底結閤力、顯微形貌、晶化程度及電阻率的影響.通過能譜(EDS)測試證明瞭濺射的CIGS薄膜Ga組分比符閤高效吸收層的要求,通過X射線衍射(XRD)與掃描電子顯微鏡(SEM)測試,證明瞭襯底加熱濺射、濺射後450 ℃空氣退火可以有效提高CIGS薄膜與襯底的結閤併提高晶化程度.通過四探針法電阻率測試證明瞭低氣壓條件下濺射、濺射後退火可以有效降低CIGS的電阻率,通過透射光譜分析證明瞭CIGS薄膜對可見光有高吸收效率,適閤作為太暘電池的高效吸收層.
채용사빈자공천사적공예,재파리츤저상제비득도료동인가서(CIGS)박막.토론료츤저온도、천사기압、퇴화여부대CIGS박막여츤저결합력、현미형모、정화정도급전조솔적영향.통과능보(EDS)측시증명료천사적CIGS박막Ga조분비부합고효흡수층적요구,통과X사선연사(XRD)여소묘전자현미경(SEM)측시,증명료츤저가열천사、천사후450 ℃공기퇴화가이유효제고CIGS박막여츤저적결합병제고정화정도.통과사탐침법전조솔측시증명료저기압조건하천사、천사후퇴화가이유효강저CIGS적전조솔,통과투사광보분석증명료CIGS박막대가견광유고흡수효솔,괄합작위태양전지적고효흡수층.
