半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2004年
9期
1123-1127
,共5页
马通达%屠海令%邵贝羚%陈长春%黄文韬
馬通達%屠海令%邵貝羚%陳長春%黃文韜
마통체%도해령%소패령%진장춘%황문도
Si/SiGe-OI应变异质结构%高分辨显微结构%失配位错%弛豫机理
Si/SiGe-OI應變異質結構%高分辨顯微結構%失配位錯%弛豫機理
Si/SiGe-OI응변이질결구%고분변현미결구%실배위착%이예궤리
为了研究失配应变的弛豫机理,利用高分辨电子显微镜(HREM)对超高真空化学气相沉积(UHVCVD) Si/SiGe-OI材料横截面的完整形貌和不同层及各层之间界面区的高分辨晶格像进行观察.发现此多层结构中存在60°位错和堆垛层错.结合Matthews和Blakeslee提出的临界厚度的模型和相关的研究结果对60°位错组态的形成和存在原因进行了分析.在具有帽层结构的Si1-xGex应变层靠近基体一侧的界面中仅存在单一位错,验证了Gosling等人的理论预测结果.
為瞭研究失配應變的弛豫機理,利用高分辨電子顯微鏡(HREM)對超高真空化學氣相沉積(UHVCVD) Si/SiGe-OI材料橫截麵的完整形貌和不同層及各層之間界麵區的高分辨晶格像進行觀察.髮現此多層結構中存在60°位錯和堆垛層錯.結閤Matthews和Blakeslee提齣的臨界厚度的模型和相關的研究結果對60°位錯組態的形成和存在原因進行瞭分析.在具有帽層結構的Si1-xGex應變層靠近基體一側的界麵中僅存在單一位錯,驗證瞭Gosling等人的理論預測結果.
위료연구실배응변적이예궤리,이용고분변전자현미경(HREM)대초고진공화학기상침적(UHVCVD) Si/SiGe-OI재료횡절면적완정형모화불동층급각층지간계면구적고분변정격상진행관찰.발현차다층결구중존재60°위착화퇴타층착.결합Matthews화Blakeslee제출적림계후도적모형화상관적연구결과대60°위착조태적형성화존재원인진행료분석.재구유모층결구적Si1-xGex응변층고근기체일측적계면중부존재단일위착,험증료Gosling등인적이론예측결과.
