光电子技术
光電子技術
광전자기술
OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY
2006年
3期
185-187,191
,共4页
氧化铟锡%磁控溅射%均匀性%光电特性
氧化銦錫%磁控濺射%均勻性%光電特性
양화인석%자공천사%균균성%광전특성
直流磁控溅射法低温制备ITO透明导电薄膜的过程中,在衬底温度为60℃其它工艺参数不变的情况下,通过改变通入的水蒸气分压0～6.67×10-3 Pa制备了不同结构的薄膜,研究了水蒸气分压对ITO薄膜电阻率和膜厚的均匀性,光电特性,以及晶体结构的影响.水蒸气的引入可以改善ITO薄膜的电阻率均匀性和膜厚均匀性,增加了ITO薄膜的导电性,对ITO膜可见光透过率也有所提高.
直流磁控濺射法低溫製備ITO透明導電薄膜的過程中,在襯底溫度為60℃其它工藝參數不變的情況下,通過改變通入的水蒸氣分壓0～6.67×10-3 Pa製備瞭不同結構的薄膜,研究瞭水蒸氣分壓對ITO薄膜電阻率和膜厚的均勻性,光電特性,以及晶體結構的影響.水蒸氣的引入可以改善ITO薄膜的電阻率均勻性和膜厚均勻性,增加瞭ITO薄膜的導電性,對ITO膜可見光透過率也有所提高.
직류자공천사법저온제비ITO투명도전박막적과정중,재츤저온도위60℃기타공예삼수불변적정황하,통과개변통입적수증기분압0～6.67×10-3 Pa제비료불동결구적박막,연구료수증기분압대ITO박막전조솔화막후적균균성,광전특성,이급정체결구적영향.수증기적인입가이개선ITO박막적전조솔균균성화막후균균성,증가료ITO박막적도전성,대ITO막가견광투과솔야유소제고.
