半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2007年
3期
234-237
,共4页
成传品%唐明华%叶志%周益春%郑学军
成傳品%唐明華%葉誌%週益春%鄭學軍
성전품%당명화%협지%주익춘%정학군
溶胶-凝胶%BYT铁电薄膜%退火温度%铁电性
溶膠-凝膠%BYT鐵電薄膜%退火溫度%鐵電性
용효-응효%BYT철전박막%퇴화온도%철전성
采用溶胶-凝胶旋涂法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底上成功地沉积出(Bi,Yb)4Ti3O12[Bi3.4Ybo.6Ti3O12,BYT]铁电薄膜.系统地研究了退火温度对BYT铁电薄膜的晶体结构、表面形貌以及铁电性能(剩余极化强度)的影响.揭示了退火温度对BYT薄膜的晶体结构、表面形貌以及铁电性能有着明显的影响,给出了最佳退火温度为700℃左右.
採用溶膠-凝膠鏇塗法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底上成功地沉積齣(Bi,Yb)4Ti3O12[Bi3.4Ybo.6Ti3O12,BYT]鐵電薄膜.繫統地研究瞭退火溫度對BYT鐵電薄膜的晶體結構、錶麵形貌以及鐵電性能(剩餘極化彊度)的影響.揭示瞭退火溫度對BYT薄膜的晶體結構、錶麵形貌以及鐵電性能有著明顯的影響,給齣瞭最佳退火溫度為700℃左右.
채용용효-응효선도법재Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)기저상성공지침적출(Bi,Yb)4Ti3O12[Bi3.4Ybo.6Ti3O12,BYT]철전박막.계통지연구료퇴화온도대BYT철전박막적정체결구、표면형모이급철전성능(잉여겁화강도)적영향.게시료퇴화온도대BYT박막적정체결구、표면형모이급철전성능유착명현적영향,급출료최가퇴화온도위700℃좌우.