微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2008年
9期
542-546
,共5页
钨钼合金%化学机械抛光%去除速率%表面活性剂%表面粗糙度
鎢鉬閤金%化學機械拋光%去除速率%錶麵活性劑%錶麵粗糙度
오목합금%화학궤계포광%거제속솔%표면활성제%표면조조도
阐述了金属化学机械抛光的机理.将半导体制造工艺中的nm级平坦化技术、化学机械抛光技术拓展并应用到W-Mo合金工艺中,在实现精密物理材料表面高平坦度、低粗糙度的前提下,提高W-Mo合金去除速率.采用碱性抛光液进行实验,确定了抛光液的成分;分析了W-Mo合金化学机械抛光中压力、流量、转速、pH值、活性剂等参数对W-Mo合金的影响.实验表明,实现W-Mo合金表面超精密抛光的最佳条件为:压力0.06 MPa,流速160 mL/min,转速60 r/min,pH值10.1～10.3.
闡述瞭金屬化學機械拋光的機理.將半導體製造工藝中的nm級平坦化技術、化學機械拋光技術拓展併應用到W-Mo閤金工藝中,在實現精密物理材料錶麵高平坦度、低粗糙度的前提下,提高W-Mo閤金去除速率.採用堿性拋光液進行實驗,確定瞭拋光液的成分;分析瞭W-Mo閤金化學機械拋光中壓力、流量、轉速、pH值、活性劑等參數對W-Mo閤金的影響.實驗錶明,實現W-Mo閤金錶麵超精密拋光的最佳條件為:壓力0.06 MPa,流速160 mL/min,轉速60 r/min,pH值10.1～10.3.
천술료금속화학궤계포광적궤리.장반도체제조공예중적nm급평탄화기술、화학궤계포광기술탁전병응용도W-Mo합금공예중,재실현정밀물리재료표면고평탄도、저조조도적전제하,제고W-Mo합금거제속솔.채용감성포광액진행실험,학정료포광액적성분;분석료W-Mo합금화학궤계포광중압력、류량、전속、pH치、활성제등삼수대W-Mo합금적영향.실험표명,실현W-Mo합금표면초정밀포광적최가조건위:압력0.06 MPa,류속160 mL/min,전속60 r/min,pH치10.1～10.3.
