微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2010年
1期
6-10,15
,共6页
石春琦%马和良%张润曦%赖宗声
石春琦%馬和良%張潤晞%賴宗聲
석춘기%마화량%장윤희%뢰종성
低噪声放大器%CMOS%无线局域网%静电放电
低譟聲放大器%CMOS%無線跼域網%靜電放電
저조성방대기%CMOS%무선국역망%정전방전
LNA%CMOS%WLAN%ESD
介绍了一个基于IBM 0.18 μm CMOS工艺,用于无线局域网(WLAN)IEEE 802.11a的带ESD保护电路的低噪声放大器(LNA).通过分析电感负反馈共源共栅放大器的输入阻抗、增益和噪声系数,以及ESD保护电路对低噪声放大器性能的影响,对该5 GHz低噪声放大器进行设计和优化.测试结果表明,当电源电压为1.8 V时,消耗电流为6.5 mA,增益达到10 dB,输入匹配达到-18 dB,噪声为4.29 dB,线性度IIP3为4 dBm.
介紹瞭一箇基于IBM 0.18 μm CMOS工藝,用于無線跼域網(WLAN)IEEE 802.11a的帶ESD保護電路的低譟聲放大器(LNA).通過分析電感負反饋共源共柵放大器的輸入阻抗、增益和譟聲繫數,以及ESD保護電路對低譟聲放大器性能的影響,對該5 GHz低譟聲放大器進行設計和優化.測試結果錶明,噹電源電壓為1.8 V時,消耗電流為6.5 mA,增益達到10 dB,輸入匹配達到-18 dB,譟聲為4.29 dB,線性度IIP3為4 dBm.
개소료일개기우IBM 0.18 μm CMOS공예,용우무선국역망(WLAN)IEEE 802.11a적대ESD보호전로적저조성방대기(LNA).통과분석전감부반궤공원공책방대기적수입조항、증익화조성계수,이급ESD보호전로대저조성방대기성능적영향,대해5 GHz저조성방대기진행설계화우화.측시결과표명,당전원전압위1.8 V시,소모전류위6.5 mA,증익체도10 dB,수입필배체도-18 dB,조성위4.29 dB,선성도IIP3위4 dBm.
A 1.8 V 5.2 GHz LNA with ESD protection for WLAN 802.11a was implemented in IBM 0.18 μm CMOS process. The LNA was optimized based on the analysis of input impedance, voltage gain and noise figure of cascode LNA with inductive degeneration. Effects of ESD protection on LNA performance were discussed. Test results showed that the LNA had a forward gain of 10 dB, a noise figure of 4.29 dB, an IIP3 of 4 dBm and an S11 of -18 dB, and the circuit dissipated 6.5 mA of current from 1.8 V supply.
