电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2010年
6期
684-686
,共3页
胡辉勇%张鹤鸣%崔敏%戴显英%宋建军
鬍輝勇%張鶴鳴%崔敏%戴顯英%宋建軍
호휘용%장학명%최민%대현영%송건군
PZT铁电薄膜%溶胶-凝胶法%MFS结构%C-V特性%阈值电压
PZT鐵電薄膜%溶膠-凝膠法%MFS結構%C-V特性%閾值電壓
PZT철전박막%용효-응효법%MFS결구%C-V특성%역치전압
采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)在n型GaN衬底上制备了PZT铁电薄膜及其相应的金属-铁电体-半导体(MFS)结构,测量了该MFS结构的C-V特性,从理论上分析了所制备的MFS结构的阈值特性.阈值电压的实验与理论分析结果吻合较好.采用PZT铁电薄膜作为GaN基MFS结构的栅介质,利用其高介电常数和较强的极化电场可以显著降低GaN基MFS器件的工作电压.
採用溶膠-凝膠法(Sol-Gel)在n型GaN襯底上製備瞭PZT鐵電薄膜及其相應的金屬-鐵電體-半導體(MFS)結構,測量瞭該MFS結構的C-V特性,從理論上分析瞭所製備的MFS結構的閾值特性.閾值電壓的實驗與理論分析結果吻閤較好.採用PZT鐵電薄膜作為GaN基MFS結構的柵介質,利用其高介電常數和較彊的極化電場可以顯著降低GaN基MFS器件的工作電壓.
채용용효-응효법(Sol-Gel)재n형GaN츤저상제비료PZT철전박막급기상응적금속-철전체-반도체(MFS)결구,측량료해MFS결구적C-V특성,종이론상분석료소제비적MFS결구적역치특성.역치전압적실험여이론분석결과문합교호.채용PZT철전박막작위GaN기MFS결구적책개질,이용기고개전상수화교강적겁화전장가이현저강저GaN기MFS기건적공작전압.
