武汉工程大学学报
武漢工程大學學報
무한공정대학학보
JOURNAL OF WUHAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY
2011年
9期
30-33
,共4页
煅烧温度%ATO/TiO2复合导电粉%表面晶化
煅燒溫度%ATO/TiO2複閤導電粉%錶麵晶化
단소온도%ATO/TiO2복합도전분%표면정화
用湿化学法在TiO2颗粒表面包覆ATO制得ATO/ TiO2复合导电粉；运用TG- DSC、XRD、XPS、SEM、和电导率测试等手段对ATO/TiO2导电粉进行了表征.结果表明:煅烧温度对SnO2的晶化程度、Sb的价态、ATO/TiO2导电粉的导电性产生影响.电导率—温度(lnσ-T)关系呈抛物线(100～900℃):上坡段(150～400℃),温度增加,无定形SnO2逐渐晶化,电导率增加,导电性上升,溶入SnO2的Sb3+→Sb5+转变,载流子浓度加大,包膜层多孔结构逐渐致密化；底部平台(400～600℃),SnO2晶化结束,Sb3+→Sb5+转变趋于完成,电子散射趋于最低,电导率最大,导电性达到最佳；下坡段(600～900℃),Sb3+→Sb5+转变发生逆转,TiO2基体颗粒长大,锐态型向金红石型转变,破坏包膜结构,电导率上升,导电性恶化.
用濕化學法在TiO2顆粒錶麵包覆ATO製得ATO/ TiO2複閤導電粉；運用TG- DSC、XRD、XPS、SEM、和電導率測試等手段對ATO/TiO2導電粉進行瞭錶徵.結果錶明:煅燒溫度對SnO2的晶化程度、Sb的價態、ATO/TiO2導電粉的導電性產生影響.電導率—溫度(lnσ-T)關繫呈拋物線(100～900℃):上坡段(150～400℃),溫度增加,無定形SnO2逐漸晶化,電導率增加,導電性上升,溶入SnO2的Sb3+→Sb5+轉變,載流子濃度加大,包膜層多孔結構逐漸緻密化；底部平檯(400～600℃),SnO2晶化結束,Sb3+→Sb5+轉變趨于完成,電子散射趨于最低,電導率最大,導電性達到最佳；下坡段(600～900℃),Sb3+→Sb5+轉變髮生逆轉,TiO2基體顆粒長大,銳態型嚮金紅石型轉變,破壞包膜結構,電導率上升,導電性噁化.
용습화학법재TiO2과립표면포복ATO제득ATO/ TiO2복합도전분；운용TG- DSC、XRD、XPS、SEM、화전도솔측시등수단대ATO/TiO2도전분진행료표정.결과표명:단소온도대SnO2적정화정도、Sb적개태、ATO/TiO2도전분적도전성산생영향.전도솔—온도(lnσ-T)관계정포물선(100～900℃):상파단(150～400℃),온도증가,무정형SnO2축점정화,전도솔증가,도전성상승,용입SnO2적Sb3+→Sb5+전변,재류자농도가대,포막층다공결구축점치밀화；저부평태(400～600℃),SnO2정화결속,Sb3+→Sb5+전변추우완성,전자산사추우최저,전도솔최대,도전성체도최가；하파단(600～900℃),Sb3+→Sb5+전변발생역전,TiO2기체과립장대,예태형향금홍석형전변,파배포막결구,전도솔상승,도전성악화.
