西安交通大学学报
西安交通大學學報
서안교통대학학보
JOURNAL OF XI'AN JIAOTONG UNIVERSITY
2005年
6期
641-645
,共5页
宁叔帆%李鸿岩%陈维%刘斌%陈寿田
寧叔帆%李鴻巖%陳維%劉斌%陳壽田
저숙범%리홍암%진유%류빈%진수전
SiC%表面氧化物%Zeta电位%表面疏水性%浆料黏度
SiC%錶麵氧化物%Zeta電位%錶麵疏水性%漿料黏度
SiC%표면양화물%Zeta전위%표면소수성%장료점도
研究了表面杂质对SiC浆料黏度和固相含量的影响,利用HF酸洗可有效降低SiC微粉表面SiO2和金属氧化物含量,从而提高SiC微粉的表面Zeta电位.试样SiC-1的Zeta电位由酸洗前的60.71 mV升高至酸洗后的72.49 mV,试样SiC-2的Zeta电位由酸洗前的55.728 mV升高至酸洗后的63.546 mV.HF酸洗还可破坏SiC微粉表面羟基结构,并以F-取代OH-的位置,使SiC表面由亲水性变为疏水性.Zeta电位的提高可使SiC微粉充分分散并保持稳定;表面疏水可大量释放出因氢键作用而与SiC表面牢固结合的吸附水,使之可自由流动.二者综合作用,可大大降低SiC浆料的黏度并提高固相含量.通过HF酸洗,试样SiC-1和SiC-2的浆料在黏度小于1 Pa·s时,φ(SiC-1)、φ(SiC-2)可分别达到61%和51%,基本满足胶态成型的需要.
研究瞭錶麵雜質對SiC漿料黏度和固相含量的影響,利用HF痠洗可有效降低SiC微粉錶麵SiO2和金屬氧化物含量,從而提高SiC微粉的錶麵Zeta電位.試樣SiC-1的Zeta電位由痠洗前的60.71 mV升高至痠洗後的72.49 mV,試樣SiC-2的Zeta電位由痠洗前的55.728 mV升高至痠洗後的63.546 mV.HF痠洗還可破壞SiC微粉錶麵羥基結構,併以F-取代OH-的位置,使SiC錶麵由親水性變為疏水性.Zeta電位的提高可使SiC微粉充分分散併保持穩定;錶麵疏水可大量釋放齣因氫鍵作用而與SiC錶麵牢固結閤的吸附水,使之可自由流動.二者綜閤作用,可大大降低SiC漿料的黏度併提高固相含量.通過HF痠洗,試樣SiC-1和SiC-2的漿料在黏度小于1 Pa·s時,φ(SiC-1)、φ(SiC-2)可分彆達到61%和51%,基本滿足膠態成型的需要.
연구료표면잡질대SiC장료점도화고상함량적영향,이용HF산세가유효강저SiC미분표면SiO2화금속양화물함량,종이제고SiC미분적표면Zeta전위.시양SiC-1적Zeta전위유산세전적60.71 mV승고지산세후적72.49 mV,시양SiC-2적Zeta전위유산세전적55.728 mV승고지산세후적63.546 mV.HF산세환가파배SiC미분표면간기결구,병이F-취대OH-적위치,사SiC표면유친수성변위소수성.Zeta전위적제고가사SiC미분충분분산병보지은정;표면소수가대량석방출인경건작용이여SiC표면뢰고결합적흡부수,사지가자유류동.이자종합작용,가대대강저SiC장료적점도병제고고상함량.통과HF산세,시양SiC-1화SiC-2적장료재점도소우1 Pa·s시,φ(SiC-1)、φ(SiC-2)가분별체도61%화51%,기본만족효태성형적수요.
