真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2006年
1期
57-60
,共4页
李群%黎定国%邓玲娜%刘义保%诸葛兰剑%吴雪梅
李群%黎定國%鄧玲娜%劉義保%諸葛蘭劍%吳雪梅
리군%려정국%산령나%류의보%제갈란검%오설매
双离子束测射%SiOxNy薄膜%结构与发光
雙離子束測射%SiOxNy薄膜%結構與髮光
쌍리자속측사%SiOxNy박막%결구여발광
本文采用双离子束溅射沉积法制备了SiOxNy复合薄膜,XRD、TEM测试表明薄膜呈非晶态,FTIR及XPS测试表明薄膜成分由Si、O、N组成,在室温下可观察到样品有400 nm(紫光)、470 nm(蓝光)的光致发光.根据测试分析研究了SiOxNy薄膜的可能的发光机理:470 nm处发光峰为来自于硅基薄膜中中性氧空位缺陷(O3≡Si-Si≡O3),是由于氧原子配位的二价硅的单态-单态之间的跃迁所致,其发光强度随退火温度的升高而变化,800℃时最大,高于800℃时慢慢减弱;400 nm发光峰的发射与薄膜中的Si、O、N所形成的结构有关,它可能来自于Si、O、N结构所形成的发光中心,该峰位的强度随退火温度的升高而增强.
本文採用雙離子束濺射沉積法製備瞭SiOxNy複閤薄膜,XRD、TEM測試錶明薄膜呈非晶態,FTIR及XPS測試錶明薄膜成分由Si、O、N組成,在室溫下可觀察到樣品有400 nm(紫光)、470 nm(藍光)的光緻髮光.根據測試分析研究瞭SiOxNy薄膜的可能的髮光機理:470 nm處髮光峰為來自于硅基薄膜中中性氧空位缺陷(O3≡Si-Si≡O3),是由于氧原子配位的二價硅的單態-單態之間的躍遷所緻,其髮光彊度隨退火溫度的升高而變化,800℃時最大,高于800℃時慢慢減弱;400 nm髮光峰的髮射與薄膜中的Si、O、N所形成的結構有關,它可能來自于Si、O、N結構所形成的髮光中心,該峰位的彊度隨退火溫度的升高而增彊.
본문채용쌍리자속천사침적법제비료SiOxNy복합박막,XRD、TEM측시표명박막정비정태,FTIR급XPS측시표명박막성분유Si、O、N조성,재실온하가관찰도양품유400 nm(자광)、470 nm(람광)적광치발광.근거측시분석연구료SiOxNy박막적가능적발광궤리:470 nm처발광봉위래자우규기박막중중성양공위결함(O3≡Si-Si≡O3),시유우양원자배위적이개규적단태-단태지간적약천소치,기발광강도수퇴화온도적승고이변화,800℃시최대,고우800℃시만만감약;400 nm발광봉적발사여박막중적Si、O、N소형성적결구유관,타가능래자우Si、O、N결구소형성적발광중심,해봉위적강도수퇴화온도적승고이증강.
