无机材料学报
無機材料學報
무궤재료학보
JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS
2006年
3期
701-706
,共6页
边继明%李效民%赵俊亮%于伟东
邊繼明%李效民%趙俊亮%于偉東
변계명%리효민%조준량%우위동
ZnO薄膜%脉冲激光沉积%光电导紫外探测器%光电响应机理
ZnO薄膜%脈遲激光沉積%光電導紫外探測器%光電響應機理
ZnO박막%맥충격광침적%광전도자외탐측기%광전향응궤리
采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,以X射线衍射(XRD)和场发射扫描电镜(SEM)等手段分析了所得ZnO薄膜的晶体结构和微观形貌.结果表明,随着衬底温度和薄膜生长时氧分压的增加,ZnO薄膜的晶体结构和化学计量比得到显著改善.优化工艺(700℃,20Pa)下生长的ZnO薄膜呈c轴高度择优取向,柱状晶垂直衬底表面生长,结构致密均匀.以不同暗电阻的ZnO薄膜为材料,利用剥离(lift-off)技术制备了MSM结构ZnO光电导型紫外探测器.紫外光照射前后的I-V特性测试表明ZnO薄膜产生非常明显的光电导现象,分析了其光电响应机理.
採用脈遲激光沉積(PLD)法在單晶Si(100)襯底上生長ZnO薄膜,以X射線衍射(XRD)和場髮射掃描電鏡(SEM)等手段分析瞭所得ZnO薄膜的晶體結構和微觀形貌.結果錶明,隨著襯底溫度和薄膜生長時氧分壓的增加,ZnO薄膜的晶體結構和化學計量比得到顯著改善.優化工藝(700℃,20Pa)下生長的ZnO薄膜呈c軸高度擇優取嚮,柱狀晶垂直襯底錶麵生長,結構緻密均勻.以不同暗電阻的ZnO薄膜為材料,利用剝離(lift-off)技術製備瞭MSM結構ZnO光電導型紫外探測器.紫外光照射前後的I-V特性測試錶明ZnO薄膜產生非常明顯的光電導現象,分析瞭其光電響應機理.
채용맥충격광침적(PLD)법재단정Si(100)츤저상생장ZnO박막,이X사선연사(XRD)화장발사소묘전경(SEM)등수단분석료소득ZnO박막적정체결구화미관형모.결과표명,수착츤저온도화박막생장시양분압적증가,ZnO박막적정체결구화화학계량비득도현저개선.우화공예(700℃,20Pa)하생장적ZnO박막정c축고도택우취향,주상정수직츤저표면생장,결구치밀균균.이불동암전조적ZnO박막위재료,이용박리(lift-off)기술제비료MSM결구ZnO광전도형자외탐측기.자외광조사전후적I-V특성측시표명ZnO박막산생비상명현적광전도현상,분석료기광전향응궤리.
