微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2007年
4期
182-185,194
,共5页
多孔硅%微结构%分形%分形维数
多孔硅%微結構%分形%分形維數
다공규%미결구%분형%분형유수
用扫描电镜(SEM)对厚度不同的多孔硅膜的微结构进行了研究.对于23 μm厚的多孔硅膜,其横截面微结构好似海底生长的海藻;而对于6μm厚的多孔硅膜,其表面微结构则像龟壳上的裂纹.通过对在不同放大倍数情况下拍摄的多孔硅的SEM图片进行分析,结果表明多孔硅薄膜的这两种微结构都具有分形特征,而且其分形维数为2.3～2.6.利用扩散限制凝聚模型(diffusion limited aggregation)对这两种微结构的形成过程进行了模拟.
用掃描電鏡(SEM)對厚度不同的多孔硅膜的微結構進行瞭研究.對于23 μm厚的多孔硅膜,其橫截麵微結構好似海底生長的海藻;而對于6μm厚的多孔硅膜,其錶麵微結構則像龜殼上的裂紋.通過對在不同放大倍數情況下拍攝的多孔硅的SEM圖片進行分析,結果錶明多孔硅薄膜的這兩種微結構都具有分形特徵,而且其分形維數為2.3～2.6.利用擴散限製凝聚模型(diffusion limited aggregation)對這兩種微結構的形成過程進行瞭模擬.
용소묘전경(SEM)대후도불동적다공규막적미결구진행료연구.대우23 μm후적다공규막,기횡절면미결구호사해저생장적해조;이대우6μm후적다공규막,기표면미결구칙상구각상적렬문.통과대재불동방대배수정황하박섭적다공규적SEM도편진행분석,결과표명다공규박막적저량충미결구도구유분형특정,이차기분형유수위2.3～2.6.이용확산한제응취모형(diffusion limited aggregation)대저량충미결구적형성과정진행료모의.
