浙江大学学报（工学版）
浙江大學學報（工學版）
절강대학학보（공학판）
JOURNAL OF ZHEJIANG UNIVERSITY(ENGINEERING SCIENCE)
2008年
3期
485-488,533
,共5页
吴玲玲%吴仁兵%杨光义%陈建军%翟蕊%林晶%潘颐
吳玲玲%吳仁兵%楊光義%陳建軍%翟蕊%林晶%潘頤
오령령%오인병%양광의%진건군%적예%림정%반이
简单加热法%SiC纳米线%气-固-液机制
簡單加熱法%SiC納米線%氣-固-液機製
간단가열법%SiC납미선%기-고-액궤제
采用简单热蒸发法使硅蒸气和碳纳米管反应生成了碳化硅纳米线.反应产物首先经X射线衍射(XRD)确定为3C-SiC.再用场发射扫描电镜(FESEM)和高分辨透射电镜(HRTEM)等进行形貌和结构研究,发现3C-SiC纳米线部分呈直线六棱柱形状,大多为3C-SiC单晶,其[111]方向与纳米线长度方向一致,间或有折线,弯曲和螺旋形.在这些结果的基础上,提出3C-SiC纳米线形核生长的气液固(VLS)机制:硅蒸气(V)溶于碳纳米管端部残留金属催化剂液滴(L),与碳纳米管反应(S),生成3C-SiC晶核并沿碳纳米管长度方向生长.
採用簡單熱蒸髮法使硅蒸氣和碳納米管反應生成瞭碳化硅納米線.反應產物首先經X射線衍射(XRD)確定為3C-SiC.再用場髮射掃描電鏡(FESEM)和高分辨透射電鏡(HRTEM)等進行形貌和結構研究,髮現3C-SiC納米線部分呈直線六稜柱形狀,大多為3C-SiC單晶,其[111]方嚮與納米線長度方嚮一緻,間或有摺線,彎麯和螺鏇形.在這些結果的基礎上,提齣3C-SiC納米線形覈生長的氣液固(VLS)機製:硅蒸氣(V)溶于碳納米管耑部殘留金屬催化劑液滴(L),與碳納米管反應(S),生成3C-SiC晶覈併沿碳納米管長度方嚮生長.
채용간단열증발법사규증기화탄납미관반응생성료탄화규납미선.반응산물수선경X사선연사(XRD)학정위3C-SiC.재용장발사소묘전경(FESEM)화고분변투사전경(HRTEM)등진행형모화결구연구,발현3C-SiC납미선부분정직선륙릉주형상,대다위3C-SiC단정,기[111]방향여납미선장도방향일치,간혹유절선,만곡화라선형.재저사결과적기출상,제출3C-SiC납미선형핵생장적기액고(VLS)궤제:규증기(V)용우탄납미관단부잔류금속최화제액적(L),여탄납미관반응(S),생성3C-SiC정핵병연탄납미관장도방향생장.
