稀有金属材料与工程
稀有金屬材料與工程
희유금속재료여공정
RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERNG
2009年
4期
717-721
,共5页
韩宾%赵青南%杨晓东%赵修建
韓賓%趙青南%楊曉東%趙脩建
한빈%조청남%양효동%조수건
二氧化钒薄膜%磁控溅射%溅射时间%晶粒尺寸%膜厚
二氧化釩薄膜%磁控濺射%濺射時間%晶粒呎吋%膜厚
이양화범박막%자공천사%천사시간%정립척촌%막후
采用射频反应磁控溅射法在镀有SiO2膜的钠钙硅玻璃基片上沉积了二氧化钒(VO2)薄膜.研究了在300℃沉积温度下,不同溅射时间(5～35min)对VO2薄膜结构和性能的影响.用X射线衍射、扫描电镜、自制电阻测量装置、紫外-可见光谱仪、双光束红外分光光度计对薄膜结构、形貌、电学及光学性能进行了表征.结果表明:薄膜在低温半导体相主要以四方相畸变金红石结构存在,在(011)方向出现明显择优取向生长,随着溅射时间的延长,晶粒生长趋于完整,晶粒尺寸增大;对溅射时间为35 min的薄膜热处理,发现从室温到90℃范围内,薄膜方块电阻的变化接近3个数量级;由于本征吸收,薄膜在可见光范围透过率较低,且随膜厚的增加而逐渐降低;在1500～4000 cm-1波数范围内,原位测量薄膜样品加热前后(20和80℃)的红外反射率,发现反射率的变化幅度随着膜厚增加而提高,最高可达59%.
採用射頻反應磁控濺射法在鍍有SiO2膜的鈉鈣硅玻璃基片上沉積瞭二氧化釩(VO2)薄膜.研究瞭在300℃沉積溫度下,不同濺射時間(5～35min)對VO2薄膜結構和性能的影響.用X射線衍射、掃描電鏡、自製電阻測量裝置、紫外-可見光譜儀、雙光束紅外分光光度計對薄膜結構、形貌、電學及光學性能進行瞭錶徵.結果錶明:薄膜在低溫半導體相主要以四方相畸變金紅石結構存在,在(011)方嚮齣現明顯擇優取嚮生長,隨著濺射時間的延長,晶粒生長趨于完整,晶粒呎吋增大;對濺射時間為35 min的薄膜熱處理,髮現從室溫到90℃範圍內,薄膜方塊電阻的變化接近3箇數量級;由于本徵吸收,薄膜在可見光範圍透過率較低,且隨膜厚的增加而逐漸降低;在1500～4000 cm-1波數範圍內,原位測量薄膜樣品加熱前後(20和80℃)的紅外反射率,髮現反射率的變化幅度隨著膜厚增加而提高,最高可達59%.
채용사빈반응자공천사법재도유SiO2막적납개규파리기편상침적료이양화범(VO2)박막.연구료재300℃침적온도하,불동천사시간(5～35min)대VO2박막결구화성능적영향.용X사선연사、소묘전경、자제전조측량장치、자외-가견광보의、쌍광속홍외분광광도계대박막결구、형모、전학급광학성능진행료표정.결과표명:박막재저온반도체상주요이사방상기변금홍석결구존재,재(011)방향출현명현택우취향생장,수착천사시간적연장,정립생장추우완정,정립척촌증대;대천사시간위35 min적박막열처리,발현종실온도90℃범위내,박막방괴전조적변화접근3개수량급;유우본정흡수,박막재가견광범위투과솔교저,차수막후적증가이축점강저;재1500～4000 cm-1파수범위내,원위측량박막양품가열전후(20화80℃)적홍외반사솔,발현반사솔적변화폭도수착막후증가이제고,최고가체59%.
