固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2006年
4期
498-503
,共6页
光通信%无源光网络%驱动电路%自动功率控制
光通信%無源光網絡%驅動電路%自動功率控製
광통신%무원광망락%구동전로%자동공솔공제
文中提出一种输出结构能克服传统的激光二极管驱动电路在直流耦合方式下不支持低电源电压操作的问题.新的APC能稳定输出平均光功率和消光比分别在0.3 dBm和土0.4 dB(-40℃～100℃)范围内.此外,快速二分查找算法使APC初始化时间不超过0.6 μs,突发开启和突发关断延时小于5 ns,满足PON要求.样片采用TSMC 0.8 μm BiCMOS工艺实现,芯片面积为1.56 mm×1.67 mm,功耗为105 mW.
文中提齣一種輸齣結構能剋服傳統的激光二極管驅動電路在直流耦閤方式下不支持低電源電壓操作的問題.新的APC能穩定輸齣平均光功率和消光比分彆在0.3 dBm和土0.4 dB(-40℃～100℃)範圍內.此外,快速二分查找算法使APC初始化時間不超過0.6 μs,突髮開啟和突髮關斷延時小于5 ns,滿足PON要求.樣片採用TSMC 0.8 μm BiCMOS工藝實現,芯片麵積為1.56 mm×1.67 mm,功耗為105 mW.
문중제출일충수출결구능극복전통적격광이겁관구동전로재직류우합방식하불지지저전원전압조작적문제.신적APC능은정수출평균광공솔화소광비분별재0.3 dBm화토0.4 dB(-40℃～100℃)범위내.차외,쾌속이분사조산법사APC초시화시간불초과0.6 μs,돌발개계화돌발관단연시소우5 ns,만족PON요구.양편채용TSMC 0.8 μm BiCMOS공예실현,심편면적위1.56 mm×1.67 mm,공모위105 mW.
