Er2O3单晶薄膜的生长及Er2O3/Si异质结的能带偏移
Er2O3단정박막적생장급Er2O3/Si이질결적능대편이
Epitaxial Growth of Er2O3 Films and Its Band Offsets on Si
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2006年 z1期 411-414 ,共4页

    朱燕艳%徐闰%陈圣%方泽波%薛菲%樊永良%蒋最敏

    주연염%서윤%진골%방택파%설비%번영량%장최민

    Er2O3%异质结%晶体生长 Er2O3%異質結%晶體生長
    Er2O3%이질결%정체생장
    利用分子束外延方法在p型Si(001)和Si(111)衬底上,在700℃0.93mPa的条件下实现了Er2O3单晶薄膜的生长.薄膜的结晶情况依赖于薄膜的生长温度和氧气压.较低的温度和氧气压下在薄膜内易生成硅化铒,薄膜也趋于多晶化.还利用光电子能谱对Er2O3/Si异质结的能带偏差进行了初步的研究.
    이용분자속외연방법재p형Si(001)화Si(111)츤저상,재700℃0.93mPa적조건하실현료Er2O3단정박막적생장.박막적결정정황의뢰우박막적생장온도화양기압.교저적온도화양기압하재박막내역생성규화이,박막야추우다정화.환이용광전자능보대Er2O3/Si이질결적능대편차진행료초보적연구.
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