半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2008年
1期
41-45
,共5页
投影仪光源%光学扩展量%LED集成阵列%垂直结构芯片
投影儀光源%光學擴展量%LED集成陣列%垂直結構芯片
투영의광원%광학확전량%LED집성진렬%수직결구심편
基于各种结构LED芯片的出光特性,计算了得到的芯片及集成阵列实际的光学扩展量(Etendue),以此分析了面向投影仪光源的LED集成阵列在不同芯片间距和芯片厚度条件下的单位光学扩展量的光通量.结果表明,在面向LED投影仪的多芯片集成阵列光源中,使用剥离衬底的垂直结构芯片容易获得更高的单位Etendue光通量,从而有利于提高投影仪亮度.同时,对一种表面球形凹坑周期性微结构的倒装垂直结构LED芯片的集成阵列单位Etendue光通量进行了分析.在无封装的情况下,该结构芯片集成阵列的单位Etendue光通量较普通蓝宝石正装芯片和SiC倒装芯片的集成阵列分别高出164%和150%.
基于各種結構LED芯片的齣光特性,計算瞭得到的芯片及集成陣列實際的光學擴展量(Etendue),以此分析瞭麵嚮投影儀光源的LED集成陣列在不同芯片間距和芯片厚度條件下的單位光學擴展量的光通量.結果錶明,在麵嚮LED投影儀的多芯片集成陣列光源中,使用剝離襯底的垂直結構芯片容易穫得更高的單位Etendue光通量,從而有利于提高投影儀亮度.同時,對一種錶麵毬形凹坑週期性微結構的倒裝垂直結構LED芯片的集成陣列單位Etendue光通量進行瞭分析.在無封裝的情況下,該結構芯片集成陣列的單位Etendue光通量較普通藍寶石正裝芯片和SiC倒裝芯片的集成陣列分彆高齣164%和150%.
기우각충결구LED심편적출광특성,계산료득도적심편급집성진렬실제적광학확전량(Etendue),이차분석료면향투영의광원적LED집성진렬재불동심편간거화심편후도조건하적단위광학확전량적광통량.결과표명,재면향LED투영의적다심편집성진렬광원중,사용박리츤저적수직결구심편용역획득경고적단위Etendue광통량,종이유리우제고투영의량도.동시,대일충표면구형요갱주기성미결구적도장수직결구LED심편적집성진렬단위Etendue광통량진행료분석.재무봉장적정황하,해결구심편집성진렬적단위Etendue광통량교보통람보석정장심편화SiC도장심편적집성진렬분별고출164%화150%.
