微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2009年
10期
587-590
,共4页
SIMON%单电子环形存储器%量子点%岛%随机背景电荷
SIMON%單電子環形存儲器%量子點%島%隨機揹景電荷
SIMON%단전자배형존저기%양자점%도%수궤배경전하
介绍了目前国际上比较流行的单电子器件仿真软件SIMON的工作原理,并且以单电子环形存储器单元电路为例,利用SIMON软件对其功能和性能进行了仿真分析,同时,还仿真了温度和随机背景电荷对单电子环形存储器单元电路的影响.研究表明,单电子环形存储器单元电路利用量子点环状电路结构形式,由外接输入电压控制各岛上的电荷,能够得到存储器的"0"和"1"状态.并且该电路对温度和背景电荷极为敏感,在温度为0 K和零背景电荷条件下电路能够正常工作,但是当温度和背景电荷发生微小变化,电路的输出状态将会受到破坏.
介紹瞭目前國際上比較流行的單電子器件倣真軟件SIMON的工作原理,併且以單電子環形存儲器單元電路為例,利用SIMON軟件對其功能和性能進行瞭倣真分析,同時,還倣真瞭溫度和隨機揹景電荷對單電子環形存儲器單元電路的影響.研究錶明,單電子環形存儲器單元電路利用量子點環狀電路結構形式,由外接輸入電壓控製各島上的電荷,能夠得到存儲器的"0"和"1"狀態.併且該電路對溫度和揹景電荷極為敏感,在溫度為0 K和零揹景電荷條件下電路能夠正常工作,但是噹溫度和揹景電荷髮生微小變化,電路的輸齣狀態將會受到破壞.
개소료목전국제상비교류행적단전자기건방진연건SIMON적공작원리,병차이단전자배형존저기단원전로위례,이용SIMON연건대기공능화성능진행료방진분석,동시,환방진료온도화수궤배경전하대단전자배형존저기단원전로적영향.연구표명,단전자배형존저기단원전로이용양자점배상전로결구형식,유외접수입전압공제각도상적전하,능구득도존저기적"0"화"1"상태.병차해전로대온도화배경전하겁위민감,재온도위0 K화령배경전하조건하전로능구정상공작,단시당온도화배경전하발생미소변화,전로적수출상태장회수도파배.
