CAJ | 학술논문

利用Pt置换取代经欠电位沉积的亚单层Cu的方法,制备了不同组成的Pd/Pt二元合金电极(用Pd/Pt<,x>表示,x表示n置换取代欠电位沉积Cu过程的次数),并对其表面元素组成和氧还原性能进行了表征.在控制欠电位沉积Cu的下限电位恒定(0.34 V)的条件下,表面Pd/Pt的元素组成比通过重复Pt置换取代欠电位沉积Cu的次数(1～5次)来调控.光电子能谱(XPS)以及红外光谱实验结果表明,Pd/Pt<,x>电极表面的Pd/Pt元素组成比随着Pt沉积次数的增加而增加,对Pd/Pt<,4>电极,在电极表层约2～3 nm厚度内的Pt/Pd原子比为1:4,最表层的Pt/Pd原子比为4:1.循环伏安结果显示,随着Pt沉积次数的增加(1～5次),Pd/Pt<,x>电极表面越来越不易氧化.氧还原测试结果显示,随着Pt沉积次数(1～4次)的增加,Pd/Pt<,x>二元金属电极的氧还原活性依次增加,经过第3次沉积后其氧还原活性已优于纯Pt,而经4次以上沉积后其氧还原活性基本不变.在其它反应条件相同时,Pd/Pt<,4>电极上氧还原的半波电位与纯Pt相比右移约25 mV.可初步认为Pd/Pt<,x>二元金属体系氧还原性能的改善主要源自表层Pd原子让邻近的Pt原子上含氧物种的吸附能降低.
이용Pt치환취대경흠전위침적적아단층Cu적방법,제비료불동조성적Pd/Pt이원합금전겁(용Pd/Pt<,x>표시,x표시n치환취대흠전위침적Cu과정적차수),병대기표면원소조성화양환원성능진행료표정.재공제흠전위침적Cu적하한전위항정(0.34 V)적조건하,표면Pd/Pt적원소조성비통과중복Pt치환취대흠전위침적Cu적차수(1～5차)래조공.광전자능보(XPS)이급홍외광보실험결과표명,Pd/Pt<,x>전겁표면적Pd/Pt원소조성비수착Pt침적차수적증가이증가,대Pd/Pt<,4>전겁,재전겁표층약2～3 nm후도내적Pt/Pd원자비위1:4,최표층적Pt/Pd원자비위4:1.순배복안결과현시,수착Pt침적차수적증가(1～5차),Pd/Pt<,x>전겁표면월래월불역양화.양환원측시결과현시,수착Pt침적차수(1～4차)적증가,Pd/Pt<,x>이원금속전겁적양환원활성의차증가,경과제3차침적후기양환원활성이우우순Pt,이경4차이상침적후기양환원활성기본불변.재기타반응조건상동시,Pd/Pt<,4>전겁상양환원적반파전위여순Pt상비우이약25 mV.가초보인위Pd/Pt<,x>이원금속체계양환원성능적개선주요원자표층Pd원자양린근적Pt원자상함양물충적흡부능강저.