光学学报
光學學報
광학학보
ACTA OPTICA SINICA
2001年
12期
1463-1466
,共4页
江风益%李述体%王立%彭学新%熊传兵
江風益%李述體%王立%彭學新%熊傳兵
강풍익%리술체%왕립%팽학신%웅전병
金属有机汽相沉积%InGaN%卢瑟福背散射/沟道技术%光致发光
金屬有機汽相沉積%InGaN%盧瑟福揹散射/溝道技術%光緻髮光
금속유궤기상침적%InGaN%로슬복배산사/구도기술%광치발광
以Al2O3为衬底,采用金属有机汽相沉积(MOCVD)技术在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜.以卢瑟福背散射/沟道技术和光致发光技术对InxGa1-xN/GaN/Al2O3样品进行了分析.研究表明,金属有机汽相沉积生长高In组分InxGa1-xN薄膜有一最佳TMIn/TEGa摩尔流量比.在一定范围内,降低其摩尔流量比,合金的生长速率增高,In组分提高;进一步降低TMIn/TEGa摩尔流量比,导致In组分下降.研究还表明,InGaN薄膜的结晶品质随In组分的增大而下降,InGaN薄膜的In组分由0.04增大到0.10,其最低沟道产额比由4.1%增至11.0%.
以Al2O3為襯底,採用金屬有機汽相沉積(MOCVD)技術在GaN膜上生長瞭InxGa1-xN薄膜.以盧瑟福揹散射/溝道技術和光緻髮光技術對InxGa1-xN/GaN/Al2O3樣品進行瞭分析.研究錶明,金屬有機汽相沉積生長高In組分InxGa1-xN薄膜有一最佳TMIn/TEGa摩爾流量比.在一定範圍內,降低其摩爾流量比,閤金的生長速率增高,In組分提高;進一步降低TMIn/TEGa摩爾流量比,導緻In組分下降.研究還錶明,InGaN薄膜的結晶品質隨In組分的增大而下降,InGaN薄膜的In組分由0.04增大到0.10,其最低溝道產額比由4.1%增至11.0%.
이Al2O3위츤저,채용금속유궤기상침적(MOCVD)기술재GaN막상생장료InxGa1-xN박막.이로슬복배산사/구도기술화광치발광기술대InxGa1-xN/GaN/Al2O3양품진행료분석.연구표명,금속유궤기상침적생장고In조분InxGa1-xN박막유일최가TMIn/TEGa마이류량비.재일정범위내,강저기마이류량비,합금적생장속솔증고,In조분제고;진일보강저TMIn/TEGa마이류량비,도치In조분하강.연구환표명,InGaN박막적결정품질수In조분적증대이하강,InGaN박막적In조분유0.04증대도0.10,기최저구도산액비유4.1%증지11.0%.
