(Ga,Mn)As 体系中Mn自补偿效应的第一性原理研究
(Ga,Mn)As 체계중Mn자보상효응적제일성원리연구
First principles study of interstitial Mn self-compensation effects in (Ga,Mn)As
  • 万方数据
    物理学报 물이학보

    2004年 10期 3545-3549 ,共5页

    郭旭光%陈效双%孙沿林%周孝好%孙立忠%陆卫

    곽욱광%진효쌍%손연림%주효호%손립충%륙위

    (Ga,Mn)As%稀磁半导体%密度泛函理论 (Ga,Mn)As%稀磁半導體%密度汎函理論
    (Ga,Mn)As%희자반도체%밀도범함이론
    基于密度泛函理论的赝势平面波方法计算了处于填隙位置磁性原子(MnI)对(Ga,Mn)As体系电子结构和磁性的影响. 计算结果表明MnI在GaAs中是施主;代替Ga位的MnGa与MnI的自旋按反铁磁序排列;静电相互作用使MnGa,MnI倾向于形成MnGa-MnI对. MnI的存在一方面补偿了(Ga,Mn)As中的空穴,降低了空穴浓度;同时还使邻近的MnGa失活. MnI的存在对获得高居里温度的(Ga,Mn)As是极为不利的.
    기우밀도범함이론적안세평면파방법계산료처우전극위치자성원자(MnI)대(Ga,Mn)As체계전자결구화자성적영향. 계산결과표명MnI재GaAs중시시주;대체Ga위적MnGa여MnI적자선안반철자서배렬;정전상호작용사MnGa,MnI경향우형성MnGa-MnI대. MnI적존재일방면보상료(Ga,Mn)As중적공혈,강저료공혈농도;동시환사린근적MnGa실활. MnI적존재대획득고거리온도적(Ga,Mn)As시겁위불리적.
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