大功率GaInP/AlGaInP半导体激光器
대공솔GaInP/AlGaInP반도체격광기
Characteristic Analysis on High Power GaInP/AlGalnP Semiconductor Laser Diodes
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2005年 11期 2213-2217 ,共5页

    徐云%郭良%曹青%宋国峰%甘巧强%杨国华%李玉璋%陈良惠

    서운%곽량%조청%송국봉%감교강%양국화%리옥장%진량혜

    半导体激光器%AlGaInP可见光激光器%应变量子阱 半導體激光器%AlGaInP可見光激光器%應變量子阱
    반도체격광기%AlGaInP가견광격광기%응변양자정
    制备了大功率实折射率GaInP/AlGaInP压应变分别限制量子阱激光器.所用外延材料在15°偏角的GaAs衬底上由有机金属气相外延一次外延生长得到.制备的激光器具有双沟脊波导结构,条宽和腔长分别为3和900μm,前后端面分别蒸镀5%的增透膜和95%的高反膜.分析了室温连续激射时激光器的光电输出性能.阈值电流的典型值为32mA,光学灾变阈值为88mW,功率为80mW时的工作电流为110mA,斜率效率为1W/A,串联电阻为3Ω.基横模光输出功率可达60mW,60mW时的平行结和垂直结的远场发散角分别为10°和32°,激射波长为658.4nm.器件的内损耗为4.1cm-1,内量子效率达80%,透明电流密度为648A/cm2.
    제비료대공솔실절사솔GaInP/AlGaInP압응변분별한제양자정격광기.소용외연재료재15°편각적GaAs츤저상유유궤금속기상외연일차외연생장득도.제비적격광기구유쌍구척파도결구,조관화강장분별위3화900μm,전후단면분별증도5%적증투막화95%적고반막.분석료실온련속격사시격광기적광전수출성능.역치전류적전형치위32mA,광학재변역치위88mW,공솔위80mW시적공작전류위110mA,사솔효솔위1W/A,천련전조위3Ω.기횡모광수출공솔가체60mW,60mW시적평행결화수직결적원장발산각분별위10°화32°,격사파장위658.4nm.기건적내손모위4.1cm-1,내양자효솔체80%,투명전류밀도위648A/cm2.
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