B在SiGe中的应变补偿作用
B재SiGe중적응변보상작용
Strain Compensation in SiGe by Boron Doping
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2005年 z1期 39-41 ,共3页

    成步文%姚飞%薛春来%张建国%李传波%毛容伟%左玉华%罗丽萍%王启明

    성보문%요비%설춘래%장건국%리전파%모용위%좌옥화%라려평%왕계명

    SiGe%应变补偿%掺杂 SiGe%應變補償%摻雜
    SiGe%응변보상%참잡
    用超高真空化学气相淀积方法生长出不同硼(B)掺杂浓度的应变SiGe合金材料,研究了B对SiGe合金的应变补偿作用.结果表明,B的掺入使SiGe的应变减小,B对Ge的应变补偿率为7.3,即平均掺入1个B原子可以补偿7.3个Ge原子引起的应变.同时获得B的晶格收缩系数为6.23×10-24cm3/atom.
    용초고진공화학기상정적방법생장출불동붕(B)참잡농도적응변SiGe합금재료,연구료B대SiGe합금적응변보상작용.결과표명,B적참입사SiGe적응변감소,B대Ge적응변보상솔위7.3,즉평균참입1개B원자가이보상7.3개Ge원자인기적응변.동시획득B적정격수축계수위6.23×10-24cm3/atom.
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