半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2006年
7期
523-525
,共3页
程新红%宋朝瑞%俞跃辉%袁凯%许仲德
程新紅%宋朝瑞%俞躍輝%袁凱%許仲德
정신홍%송조서%유약휘%원개%허중덕
硅-绝缘体%体连接%横向双扩散金属氧化物半导体
硅-絕緣體%體連接%橫嚮雙擴散金屬氧化物半導體
규-절연체%체련접%횡향쌍확산금속양화물반도체
对功率器件中常用的体连接技术进行了改进,利用一次硼离子注入技术形成体连接.采用与常规1μm SOI(硅-绝缘体)CMOS工艺兼容的工艺流程,在SIMOX SOI片上制备了LDMOS结构的功率器件.器件的输出特性曲线在饱和区平滑,未呈现翘曲现象,说明形成的体连接有效地抑制了部分耗尽器件的浮体效应.当漂移区长度为2μm时,开态击穿电压达到10V,最大跨导17.5mS/mm.当漏偏压为5V时,SOI器件的泄漏电流数量级为1nA,而相应体硅结构器件的泄漏电流为1000nA.电学性能表明,这种改善的体连接技术能制备出高性能的SOI功率器件.
對功率器件中常用的體連接技術進行瞭改進,利用一次硼離子註入技術形成體連接.採用與常規1μm SOI(硅-絕緣體)CMOS工藝兼容的工藝流程,在SIMOX SOI片上製備瞭LDMOS結構的功率器件.器件的輸齣特性麯線在飽和區平滑,未呈現翹麯現象,說明形成的體連接有效地抑製瞭部分耗儘器件的浮體效應.噹漂移區長度為2μm時,開態擊穿電壓達到10V,最大跨導17.5mS/mm.噹漏偏壓為5V時,SOI器件的洩漏電流數量級為1nA,而相應體硅結構器件的洩漏電流為1000nA.電學性能錶明,這種改善的體連接技術能製備齣高性能的SOI功率器件.
대공솔기건중상용적체련접기술진행료개진,이용일차붕리자주입기술형성체련접.채용여상규1μm SOI(규-절연체)CMOS공예겸용적공예류정,재SIMOX SOI편상제비료LDMOS결구적공솔기건.기건적수출특성곡선재포화구평활,미정현교곡현상,설명형성적체련접유효지억제료부분모진기건적부체효응.당표이구장도위2μm시,개태격천전압체도10V,최대과도17.5mS/mm.당루편압위5V시,SOI기건적설루전류수량급위1nA,이상응체규결구기건적설루전류위1000nA.전학성능표명,저충개선적체련접기술능제비출고성능적SOI공솔기건.
