半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
z1期
137-140
,共4页
朱蓉辉%曾一平%卜俊鹏%惠峰%郑红军%赵冀%高永亮
硃蓉輝%曾一平%蔔俊鵬%惠峰%鄭紅軍%趙冀%高永亮
주용휘%증일평%복준붕%혜봉%정홍군%조기%고영량
GaAs%砷沉淀%微缺陷%抛光晶片%表面缺陷%光散射
GaAs%砷沉澱%微缺陷%拋光晶片%錶麵缺陷%光散射
GaAs%신침정%미결함%포광정편%표면결함%광산사
通过激光散射扫描的宏观检测方法检测非掺杂LEC半绝缘GaAs晶片(100)晶向的抛光片颗粒度时,意外发现一种源自晶体的微缺陷,该微缺陷在晶体中有四个聚集团,这为认识研究此类缺陷的一些宏观性质开辟了新的道路和方法.同时作者通过定性实验断定这种微缺陷为砷沉淀腐蚀后显示的腐蚀坑,并研究了其在整个晶体中纵向逐步减少和径向具有四个聚集中心的分布规律及其产生原因.
通過激光散射掃描的宏觀檢測方法檢測非摻雜LEC半絕緣GaAs晶片(100)晶嚮的拋光片顆粒度時,意外髮現一種源自晶體的微缺陷,該微缺陷在晶體中有四箇聚集糰,這為認識研究此類缺陷的一些宏觀性質開闢瞭新的道路和方法.同時作者通過定性實驗斷定這種微缺陷為砷沉澱腐蝕後顯示的腐蝕坑,併研究瞭其在整箇晶體中縱嚮逐步減少和徑嚮具有四箇聚集中心的分佈規律及其產生原因.
통과격광산사소묘적굉관검측방법검측비참잡LEC반절연GaAs정편(100)정향적포광편과립도시,의외발현일충원자정체적미결함,해미결함재정체중유사개취집단,저위인식연구차류결함적일사굉관성질개벽료신적도로화방법.동시작자통과정성실험단정저충미결함위신침정부식후현시적부식갱,병연구료기재정개정체중종향축보감소화경향구유사개취집중심적분포규률급기산생원인.
