半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2002年
1期
53-56
,共4页
董宏伟%赵有文%焦景华%赵建群%林兰英
董宏偉%趙有文%焦景華%趙建群%林蘭英
동굉위%조유문%초경화%조건군%림란영
磷化铟(InP)%非掺%半绝缘%均匀性%霍耳(Hall)%PL-Mapping
燐化銦(InP)%非摻%半絕緣%均勻性%霍耳(Hall)%PL-Mapping
린화인(InP)%비참%반절연%균균성%곽이(Hall)%PL-Mapping
对高温退火非掺磷化铟(InP)制备的半绝缘晶片的电学性质和均匀性进行了研究.非掺低阻N型磷化铟晶片分别在纯磷气氛和磷化铁气氛下进行930℃、80h退火均可获得半绝缘材料.但在这两种条件下制备的两种50mm半绝缘晶片却呈现出不同的电学性质和均匀性.纯磷气氛下制备的磷化铟片的电阻率和迁移率分别达到106Ω·cm和1800cm2/(V·s);而在磷化铁气氛下退火获得的半绝缘片的电阻率和迁移率分别高达107Ω*cm和3000cm2/(V*s)以上.对这两种半绝缘片和原生掺铁磷化铟半绝缘片的PL-Mapping结果进一步比较表明:在磷化铁气氛下退火获得的半绝缘材料的均匀性最好,而在纯磷气氛下制备的半绝缘磷化铟的均匀性较差.
對高溫退火非摻燐化銦(InP)製備的半絕緣晶片的電學性質和均勻性進行瞭研究.非摻低阻N型燐化銦晶片分彆在純燐氣氛和燐化鐵氣氛下進行930℃、80h退火均可穫得半絕緣材料.但在這兩種條件下製備的兩種50mm半絕緣晶片卻呈現齣不同的電學性質和均勻性.純燐氣氛下製備的燐化銦片的電阻率和遷移率分彆達到106Ω·cm和1800cm2/(V·s);而在燐化鐵氣氛下退火穫得的半絕緣片的電阻率和遷移率分彆高達107Ω*cm和3000cm2/(V*s)以上.對這兩種半絕緣片和原生摻鐵燐化銦半絕緣片的PL-Mapping結果進一步比較錶明:在燐化鐵氣氛下退火穫得的半絕緣材料的均勻性最好,而在純燐氣氛下製備的半絕緣燐化銦的均勻性較差.
대고온퇴화비참린화인(InP)제비적반절연정편적전학성질화균균성진행료연구.비참저조N형린화인정편분별재순린기분화린화철기분하진행930℃、80h퇴화균가획득반절연재료.단재저량충조건하제비적량충50mm반절연정편각정현출불동적전학성질화균균성.순린기분하제비적린화인편적전조솔화천이솔분별체도106Ω·cm화1800cm2/(V·s);이재린화철기분하퇴화획득적반절연편적전조솔화천이솔분별고체107Ω*cm화3000cm2/(V*s)이상.대저량충반절연편화원생참철린화인반절연편적PL-Mapping결과진일보비교표명:재린화철기분하퇴화획득적반절연재료적균균성최호,이재순린기분하제비적반절연린화인적균균성교차.
